コンタクトスプリングの英語

製造工程が煩雑にならず、生産性良く製造することができる、コンタクトスプリングを備えたカラーブラウン管を提供する。例文帳に追加

To provide a color cathode-ray tube having a contact spring which can be manufactured with good productivity without having complicated manufacturing processes. - 特許庁

コンタクトスプリング５０はアーム部５２のバネ力によって、アノード基板２のアノード端子２４に適切な接触力によって接触する。例文帳に追加

The contact spring 50 contacts with an anode terminal 24 of the anode substrate 2 by an appropriate contact force of a spring force of an arm 52. - 特許庁

コンタクトスプリング３０は、内部磁気シールド２０の電子銃５側端近傍の位置にて内部磁気シールド２０に片持ち支持されている。例文帳に追加

The contact springs 30 are supported in cantilever form by the inner magnetic shield 20 at locations near the electron gun 5 side edge of the inner magnetic shield 20. - 特許庁

カソード基板１側にアノードボタン６０を溶着し、該アノードボタン６０にコンタクトスプリング５０をスポット溶接で取り付ける。例文帳に追加

An anode button 60 is welded on a side of a cathode substrate 1, and a contact spring 50 is spot-welded on the above anode button 60. - 特許庁

アノード基板２への高電圧の供給は高電圧導入端子６０に接続したコンタクトスプリング５０を通して行なわれる。例文帳に追加

Supply of high voltage to the anode substrate 2 is carried out through a contact spring 50 connected to a high-voltage lead-in terminal 60. - 特許庁

コンタクトスプリング５０のコンタクト部５３のコーナーＲを０．２ｍｍ以上とし、さらに、コンタクト部５３の側部の表面粗さＲｍａｘを０．６μｍ以下とすることによって、コンタクトスプリング５０からのスパークを防止する。例文帳に追加

Sparks caused by the contact spring 50 is prevented as a corner R of a contact section 53 of the contact spring 50 is set up to be 0.2 mm or more and a surface roughness of a side of the contact section 53 is set up to be 0.6 μm or below. - 特許庁

この突部１３はコンタクトスプリング９の伸張方向をプッシャロッド６の移動方向に対して傾斜させるものであり、コンタクトスプリング９の伸張時には可動接点１１が完全対向方向に対して傾斜する傾斜方向に移動する。例文帳に追加

The protruding part 13 inclines an extension direction of a contact spring 9 to a moving direction of a pusher rod 6 and moves to an inclining direction in which a movable contact 11 inclines to a full opposite direction when the contact spring 9 is extended. - 特許庁

コンタクトスプリング５０はアノード基板２に埋め込まれたコバールによる金属板２４に接触して、アノード基板２に高電圧を供給する。例文帳に追加

The contact spring 50 contacts with a metal sheet 24 formed by Kovar embedded in the anode substrate 2 and supplies a high voltage to the anode substrate 2. - 特許庁