コンタクト比抵抗の英語

よって、コンタクト２２の摺動によって抵抗体上層部２０の表面が摩耗しても合成抵抗値は安定しており、又異種類のペーストを使用する場合に比し、製造効率も向上する。例文帳に追加

Accordingly, the combined resistance value is stable even when the surface of the upper resistor layer 20 is worned away due to a sliding contact 22, and production efficiency is enhanced as compared with cases where different kinds of pastes are used. - 特許庁

したがって、コンタクト抵抗Ｒcontと隣接抵抗Ｒcont-nと比をＲcont-n／Ｒcont≧２^b−１（ｂは中間調ビット数）とすることで、隣接画素の輝度低下を抑えることができる。例文帳に追加

Accordingly, reduction of brightness of the neighboring picture elements is suppressed by setting the ratio of contact resistance R_cont and neighboring resistance R_cont-n to R_cont-n/R_cont≥2^b-1, wherein b is the number of halftone bits. - 特許庁

また、所望のソース−ドレインの間の電流値がソースコンタクトのコンタクト抵抗が増加することによって減少されるものを補償するためにゲートの幅／長さの比率が調節され、ゲートの幅／長さの比率を大きくすることを特徴とする。例文帳に追加

Further, for compensating for decreasing a current value between a desired source and drain by increasing the contact resistance of the source contact, the ratio of a width to the length of a gate is adjusted, and the ratio of a width is increased to the length of the gate. - 特許庁

この端子側配線４５ａの表面を露出するコンタクトホール１１ｂのコンタクト部１２ａにおける窒素を含むアルミニウム膜５ａの膜厚は、窒素を含むアルミニウム膜の比抵抗に基づいて所定の膜厚ｄ_1に設定されている。例文帳に追加

The thickness of the aluminum film 5a containing nitrogen in the contact part 12a of the contact hole 11b exposed on the surface of the terminal wiring 45a is controlled to specified film thickness d1 based on the resistivity of the aluminum film containing nitrogen. - 特許庁

ゲルマニウムを高濃度に含む界面を形成することができ、従来に比べてコンタクト抵抗を低下させることのできる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, which can reduce contact resistance as compared with a conventional one by forming an interface containing heavily-doped germanium, and to provide a semiconductor device. - 特許庁

チャネル層を比較的大きなバンドギャップを有する材料で形成する場合に於いても、ソース/ドレイン(オーミック)電極のコンタクト抵抗の低減化を実現する。例文帳に追加

To reduce contact resistance of a source/drain (ohmic) electrode even when a channel layer is formed with a material having a relatively large bandgap. - 特許庁

メタル配線、コンタクトのバラツキ要因による電圧分圧比の精度の劣化を回避すると共に、曲げ応力の耐力を低下させることなく精度を向上させたラダー抵抗を形成した半導体装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor device which avoids the deterioration of accuracy of a voltage dividing ratio due to the variation factor of metal wirings and contacts, and which forms a ladder resistance improved in the accuracy without reducing yield strength against bending stress. - 特許庁

層間絶縁膜の膜厚が比較的厚い構成を有する半導体記憶装置において、コンタクト抵抗の上昇又は断線の発生を抑制可能な構造を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor memory device having a relatively thick film thickness of an interlayer insulating film and a constitution capable of suppressing an occurrence of an increase or a disconnection in the contact resistance. - 特許庁