コンタクト露光の英語

マスクとワークの位置合せを行っているときに、シール部材が、マスクステージに接しないようにしたコンタクト露光装置及びコンタクト露光方法を提供する。例文帳に追加

To provide a contact aligner and a contact aligning method such that when a mask and a work area positioned, a seal member does not come into contact with a mask stage. - 特許庁

露光量バラツキや照射方向のバラツキのある光源を使用した従来のコンタクト露光装置場合でも、簡単な改造を施すだけで、ムラの少ない一様な露光パターンが得られるコンタクト露光方法及び装置の実現。例文帳に追加

To provide a contact exposure method and an apparatus for obtaining a uniform exposure pattern with less unevenness by imparting simple alteration even when a conventional contact exposure apparatus using a light source having variance in luminance energy or irradiation direction. - 特許庁

コンタクトやビアを形成する際の、露光時の光量不足による開口不良を抑制する。例文帳に追加

To prevent defective opening caused by insufficient light amount when performing exposure for forming a contact or a via. - 特許庁

ステッパーによる露光用アライメントマークの検出を容易にすると同時に、コンタクト抵抗の低抵抗化を可能にする。例文帳に追加

To easily detect an alignment mark for exposure by a stepper and at the same time reduce contact resistance. - 特許庁

コンタクト露光装置またはプロキシミティ露光装置において、大型のマスクの歪みや自重などによる撓みを防ぎ、マスクに対するワークの平行出しを正確に行えるようにすること。例文帳に追加

To prevent A distortion or a deflection due to dead weight of a large- sized mask and to accurately perform the parallelization of a work with reference to the mask in a contact aligner or a proximity aligner. - 特許庁

次に、グレイ・スケール・マスク４を取り換え、前回と同様にレジスト膜３に均等の力でコンタクトさせ、前回の非露光部に対しパターンを形成するように２回目の露光を行う。例文帳に追加

Then the gray scale mask 4 is replaced with another mask, which is brought into uniform-force contact with the resist film 3 as mentioned above; and 2nd exposure is so carried out as to form a pattern at a part which is not exposed in the 1st exposure. - 特許庁

MISFETＱにおいて、レベンソン位相シフトマスク１０は最も微細なゲート長Ｌｇを持つゲート電極のパターンを露光し、ハーフトーン位相シフトマスク２０はゲート長Ｌｇよりは大きいが同様に微細な配線幅Ｗｊを持つ接続配線部、コンタクト幅Ｗｐを持つコンタクト部を露光する。例文帳に追加

In a MISFETQ, although the mask 10 is used to expose a gate electrode pattern having a larger gate length Lg, similarly the mask 20 is used to expose a connecting interconnection section which has a fine interconnection width Wj and a contact section having a contact width Wp. - 特許庁

そして、第１ゲート電極３１０と第１コンタクト３２０の距離の測定値と、この距離の設計値との差から、第１ゲート電極３１０を形成するための露光処理と、第１コンタクト３２０を形成するための露光処理と、の間の重ねあわせ誤差を測定することができる。例文帳に追加

From a difference between a measured value of the distance between the first gate electrode 310 and the first contact 320, and a design value of the distance, a superimposing error between exposure processing for forming the first gate electrode 310 and exposure processing for forming the first contact 320 can be measured. - 特許庁