サファイア上シリコンの英語

サファイア基板１の表面にシリコン薄膜を形成し、その表面を酸化することにより、シリコン薄膜２上にシリコン酸化膜３を形成する。例文帳に追加

A silicon semiconductor thin film 2 with a thickness of 3,000 Åis formed on the surface of a sapphire transparent insulating board 1 by epitaxial growth. - 特許庁

半導体装置の製造方法はガラス基板100上にサファイア膜120を堆積する工程と、このサファイア膜120上に非晶質シリコン膜130を堆積する工程と、この非晶質シリコン膜130に対してエネルギー線を照射し、非晶質シリコン膜130を液相成長させて単結晶シリコン膜140とする工程とを備える。例文帳に追加

A semiconductor device manufacturing method comprises a step of depositing a sapphire film 120 on a glass substrate 100, a step of depositing an amorphous silicon film 130 on the sapphire film 120 and a step of irradiating the silicon film 130 with an energy beam to grow this film 130 in a liquid phase to form a single-crystal silicon film 140. - 特許庁

そして、前記シリコンイオン注入工程において、前記シリコン層の表面付近の結晶欠陥を有するシリコンの数を8E14未満とし；前記サファイア基板と前記シリコン層との界面付近における前記シリコンイオンの単位容積当たりの注入量を3.0E19 ions/cm3 以上とする。例文帳に追加

Hereupon, the number of silicon crystals having crystal defects near the surface of the silicon layer is made smaller than 8E14 in the silicon-ion injecting process, and the injecting quantity of silicon ions per unit volume which are injected into the vicinity of the interface between the sapphire substrate and the silicon layer is made not less than 3.0E19 ions/cm^3. - 特許庁

酸化シリコン膜やサファイア基板などからなる絶縁物１１上に、シリコン層からなり半導体素子が形成される素子領域部１３が独立して設けられている。例文帳に追加

An element region part 13 composed of a silicon layer and forming a semiconductor element is provided independently on an insulating substance 11 composed of a silicon oxide film, a sapphire substrate or the like. - 特許庁

サファイア基板上に形成されるシリコンエピタキシャル層の品質向上を図ることにより、製造される半導体デバイスの特性を向上させること。例文帳に追加

To improve the characteristic of a manufactured semiconductor device, by improving the quality of a silicon epitaxial layer formed on a sapphire substrate. - 特許庁

サファイア、ＧａＡｓ、シリコンまたは炭化ケイ素といった異種基板上で第３族窒化物の半導体材料の層を１層以上成長させる上で遭遇する、少なくともいくつかの問題に対処する。例文帳に追加

To address at least some of the problems encountered in growing one or more layers of III-nitride semiconductor material(s) over a foreign substrate such as sapphire, GaAs, silicon or silicon carbide. - 特許庁

シリコンオンサファイア（SOS)上に読み出しIC（ROIC)と紫外または青色受光素子を形成し、化合物半導体基板上に赤色・赤外受光素子を形成し、両者の電極同士を貼り合わせる。例文帳に追加

A readout IC (ROIC) and an ultraviolet or blue light-receiving element are formed on silicon sapphire (SOS), a red and infrared light-receiving element is formed on a compound semiconductor substrate, and electrodes of the both are stuck together. - 特許庁

サファイア基板１１の上には窒化アルミニウム(AlN) から成る膜厚約25nmのバッファ層１２が設けられ、その上にシリコン(Si)ドープのGaN から成る膜厚約4.0 μｍの高キャリア濃度ｎ^+ 層１３が形成されている。例文帳に追加

On a sapphire substrate 11, a buffer layer 12 of film thickness of about 25 nm comprising nitride aluminum(AlN) is provided, over which a high carrier concentration n+ layer 13 of film thickness of about 4.0 μm comprising silicon(Si) doped GaN is formed. - 特許庁