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ショットキー放出の英語
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英訳・英語 Schottky emission
「ショットキー放出」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 11件
注入される電子は、電界放出型放出体又はショットキー型放出体のような高輝度電子源３で生成される。例文帳に追加
Injecting electrons are generated at a high luminance electron source 3 such as an electric field emitting type emitter or a Schottky type emitter. - 特許庁
その新型200kV-TEMは、0.15nmよりも小さなプローブサイズを生み出す高輝度のショットキー電界放出型電子銃を特徴とする。例文帳に追加
The new 200 kV TEM features a high-brightness Schottky field emission electron gun that produces a probe size of less than 0.15 nm.発音を聞く - 科学技術論文動詞集
その放出素子は、放出電極と、抽出電極と、ショットキー金属−半導体接合あるいは障壁を利用する固体電界制御式放出器とを含む。例文帳に追加
The emitting element includes an emitter electrode, an extractor electrode, and a solid-state field controlled emitter that utilizes a Schottky metal/ semiconductor junction or barrier. - 特許庁
テラヘルツ波等の高周波を検出するためのショットキー接合部において、熱電子放出電流特性（フェルミレベルピニングの影響）を抑制することができる検出素子を提供する。例文帳に追加
To provide a detection element capable of restraining a thermal electron emission characteristic (influence of Fermi-level pinning), in a Schottky junction part for detecting high frequencies such as terahertz waves. - 特許庁
半導体層１、第１の電荷障壁層２、電荷蓄積層３に所定の材料を用いることにより、半導体層１と電荷蓄積層３間にショットキー放出による電気伝導を生じせしめる。例文帳に追加
By using specified materials for the semiconductor layer 1, the first charge barrier layer 2, and the charge accumulation layer 3; electric conduction is induced between the semiconductor layer 1 and the charge accumulation layer 3 by Schottky discharge. - 特許庁
ＺｒＯ／Ｗエンハンスドショットキー放出型電子銃に関し、加速電圧に制限を受けずに、引出電極に起因するエミッターの先端近傍での圧力上昇を抑制して安定な動作を実現する。例文帳に追加
To achieve a stable operation by suppressing pressure elevation in the vicinity of the tip of an emitter caused by an extraction electrode without being limited by an acceleration voltage regarding a ZrO/W enhanced Schottky emission type electron gun. - 特許庁
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「ショットキー放出」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 11件
ショットキー金属−半導体障壁は、放出電極と抽出電極との間に電位がかけられるときに、半導体層の露出された表面から電子の電界放出が生成されるように、放出電極上に形成され、かつ抽出電極に電気的に接続される。例文帳に追加
The Schottky metal/semiconductor barrier is formed on the emitter electrode and electrically coupled to the extractor electrode such that, when an electric potential is placed between the emitter electrode and the extractor electrode, an electron is emitted from the surface of an exposed semiconductor layer into the electric field. - 特許庁
好ましくは、前記ショットキーダイオードを形成した場合、逆方向電圧−５Ｖ印加時の電流値が、熱電界放出モデルおよび熱電子放出モデルの計算値の和として計算した理論電流値の５０倍以下となることを特徴とする自立基板。例文帳に追加
Preferably, when the Schottky diode is formed, a current value under application of -5 V reverse voltage is not more than 50 times as the theoretical current value calculated as a sum of the calculated values by a thermal-field emission model and by a thermoelectronic emission model. - 特許庁
電子放出部の厚みは５〜１５０ｎｍであって、該酸化物としてはＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗの少なくとも１種類以上の元素を主体とする酸化物であり、下地導電膜はこれらの金属もしくは貴金属で、電子放出部と下地導電膜間がショットキー接合されている。例文帳に追加
The thickness of the electron emitting part is 5-150 nm and the oxide is an oxide made of mainly at least one or more kinds of elements of Ti, Zr, Hf, Nb, Ta, Mo, and W and the substrate conductive film is made of these metals or precious metals, and the electron emitting part and the substrate conductive film are Schottky jointed. - 特許庁
複数の電界放出型カソードＫと、その複数のカソードＫの表面に、その複数のカソードＫからの電子放射を可能にし得るショットキーバリアを形成する強電界を固定的に与える高圧電極と、複数のカソードＫに接続され、その複数のカソードＫからの電子の放射の有無を制御する２次元ＭＯＳゲートアレイと、複数のカソードＫから選択的に放出された電子の衝撃によって、光輝せしめられる蛍光体層Ｐとを有する。例文帳に追加
This flat display device has a plurality of electric field emission type cathodes K, a high voltage electrode which fixedly supplies an intense electric field forms a Schottky barrier which makes possible electrons being emitted from the cathodes K to the surfaces of the cathodes K, a two dimensional MOS gate array which controls electron emission from the cathodes K, and a phosphor layer which glows by impacts of electrons selectively emitted from the cathodes K. - 特許庁
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Schottky emission
英和対訳
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