ショートチャンネル効果の英語

ショートチャンネル効果と接合漏洩電流を減少させ素子の性能を改良する。例文帳に追加

To improve the performance of an element by reducing short channel effect and a junction leakage current. - 特許庁

ショートチャンネル効果を抑制し、ソース／ドレーン接合キャパシタンスを減少させることができるＭＯＳトランジスターを提供することである。例文帳に追加

To provide MOS transistors that can control a short channel effect and reduce source/drain junction capacitance. - 特許庁

集積回路において設計ルールを微細化しても、スイッチング部においてショートチャンネル効果が原理的に発生しないスイッチング素子を提供すること。例文帳に追加

To provide a switching element which will, in principle, not generate short-channel effect in the switching part of an integrated circuit, even if the rules of the design of the circuit are miniaturized. - 特許庁

チャンネル領域を素子分離膜の上部に突出された活性領域の側壁に形成し、ランディングプラグとのコンタクトを突出した活性領域の長軸方向の側壁まで拡張してショートチャンネル効果を改善し、コンタクト抵抗を減少させることができる半導体素子のトランジスタおよびその形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a transistor of semiconductor device in which a channel region is formed on a sidewall of an active region that protrudes above a device isolation film, and a contact to a landing plug is extended to the sidewall in the direction of the major axis of the protruding active region to improve short channel effect as well as to reduce contact resistance, and to provide a method of manufacturing the same. - 特許庁

高集積半導体装置において、ショートチャンネル効果を克服するため、本発明に係る半導体素子の製造方法は半導体基板の上部に形成された絶縁層、及びシリコン活性領域上にゲートパターンを形成するステップ、前記ゲートパターンの間の露出したシリコン活性領域を取り除くステップ、及び前記ゲートパターンの間を埋め込んでプラグを形成するステップを含む。例文帳に追加

In order to solve a short channel effect in a highly integrated semiconductor device, a method of fabricating a semiconductor device includes steps of: forming gate patterns over an insulating layer and a silicon active region formed on a semiconductor substrate; removing the silicon active region exposed between the gate patterns; and filling a space between the gate patterns to form a plug. - 特許庁