シリカ系薄膜の英語

非晶質シリカ基板上に炭素系の中間極薄膜を形成することにより、基板上に粒径４００ｎｍ以上の大きさを持つ平板状Ｓｎ単結晶を蒸着法により形成するＳｎ単結晶薄膜の製造方法。例文帳に追加

The production method for the Sn single crystal thin film comprises depositing flat plate-like Sn single crystals having particle diameters of ≥400 μm on the substrate by a vapor deposition method by depositing the carbon-based intermediate extremely thin film on the amorphous silica substrate. - 特許庁

本発明は、薄膜太陽電池の光路長を稼ぐための凹凸のある裏面反射層が作製可能な、表面凹凸構造を有するシリカ系無機ポリマー膜で被覆されたステンレス箔及びシリコン薄膜太陽電池を提供する。例文帳に追加

To provide a stainless foil which is covered with a silica inorganic polymer film that has an uneven surface structure where an uneven back surface reflection layer to obtain an optical pass length of a film solar battery can be prepared, and a silicon film solar battery. - 特許庁

基板１０上に形成したＳｉＯ_2−ＧｅＯ_2系ガラス薄膜１２に、アルゴンイオン等のイオンビーム照射を特定部位のみに行い、シリカネットワーク間の切断によりガラス転位温度を非照射部位より低下させる。例文帳に追加

The SiO2-GeO2-base glass thin film 12 formed on a substrate 10 is subjected to irradiation with ion beams of argon ions, etc., only at the specified portions where the glass transition temperature is made lower than that of the non-irradiated portions by cutting between silica networks. - 特許庁

有機溶剤に可溶なペルヒドロポリシラザンにキシレン、ミネラルターペン、シンナー及び高沸点芳香族系溶媒を用いてアミン系触媒を添加し、これを被コーティング体に塗布することにより、常温にてシリカへ転化させつつ、高純度シリカ薄膜を被コーティング体表面に形成することができる。例文帳に追加

An amine catalyst is added to an organic solvent-soluble perhydropolysilazane with the use of xylene, mineral turpentine, a thinner, and a high boiling point aromatic solvent, and the resulting solution is applied on a body to be coated, and thus the high purity silica film can be formed on the body to be coated while it is converted into silica at normal temperatures. - 特許庁

真空チャンバー内にガスを導入してマイクロ波や高周波により放電プラズマを形成すると共に基板に負のバイアス電圧を印加して、基板上に堆積したポーラスシリカを含有する材料の薄膜をエッチングする方法において、 エッチングガスとして二重結合を持たないフッ素系ガスを使用してエッチングを行うことを特徴としている。例文帳に追加

In the method of forming discharge plasma by microwaves or high frequency by introducing gas into a vacuum chamber, and etching the thin film of the material containing porous silica accumulated on the substrate by applying negative bias voltage to the substrate, the etching is performed using the fluoric gas not having double coupling as etching gas. - 特許庁