ジャストエッチングの英語

アレイ基板３の開口面積率が向上するので、ドライエッチング中のエッチングガスの発光の変化量が大きくなり、この変化量を検出することでジャストエッチングのタイミングを容易に検出できる。例文帳に追加

Since the aperture area ratio of the array substrate 3 is enhanced, the change amount of light emission of an etching gas during dry-etching is made high and timing of just-etching can be easily detected by detecting the change amount. - 特許庁

また、ジャストエッチング時間ＪＥＴがΔｔだけ延びることから、オーバーエッチング槽１２内でのオーバーエッチング時間ＯＥＴを（ＪＥＴ＋Δｔ）×ｍ％として設定する。例文帳に追加

Moreover, since the just etching time JET is extended only as much as Δt, the over-etching time OET in the over-etching vessel 12 is set as (JET+Δt)×m%. - 特許庁

半導体装置の製造方法に関し、互いに開口部面積の異なる複数の開口部を同時にジャストエッチングすることによりデバイスの基本特性を設計値通りに作製する。例文帳に追加

To manufacture the fundamental property of a device as per a de signed value, by just etching a plurality of openings different in aperture area at the same time, concerning the manufacture of a semiconductor device. - 特許庁

Ｃｌ_２／Ｏ_２ガスのプラズマでＷＳｉ_２層をジャストエッチングした後、ＨＢｒ／Ｃｌ_２／Ｏ_２ガスのプラズマにより反応生成物でサイドエッチングを抑制しつつオーバーエッチングを行なってＷＳｉ_２層１６ｅ，１６ｆを除去することにより層１８ａ〜１８ｄに対応するＷＳｉ_２層１６ａ〜１６ｄを得る。例文帳に追加

After etching the WSi2 layer with a plasma of Cl2/O2 gas, by having it overetched to remove WSi2 layers 16e, 16f with a plasma of HBr/Cl2/O2 gas while reaction products suppress side etching, WSi2 layers 16a-16d corresponding to the layers 18a-18d are thereby obtained. - 特許庁

レジストマスク２６をマスクとしてチャネル保護膜２５をジャストエッチングした後に、オーバーエッチングを行うことにより、チャネル保護膜２５下の半導体層２４の膜厚が５００Å程度であるのに対し、それ以外の領域における半導体層２４をハーフエッチングしてその膜厚が３００Å程度以下となるようにする。例文帳に追加

A channel protective film 25 is just-etched with a resist mask 26 as a mask before being overetched, so that the film thickness of a semiconductor layer 24 under the channel protective film 25 is about 500 Å, while the semiconductor layer 24 in other region is half-etched to allow its film thickness to be about 300 Å or less. - 特許庁

ソース電極１７とドレイン電極１８との間のｎ型アモルファスシリコンからなるオーミックコンタクト層形成用層をドライエッチングによりジャストエッチングして除去し、真性アモルファスシリコンからなるデバイス用半導体薄膜１４の上面の両側にオーミックコンタクト層１５、１６を形成する。例文帳に追加

A layer for ohmic contact layer formation composed of n-type amorphous silicon between a source electrode 17 and the drain electrode 18 is removed by performing just etching by dry etching, and the ohmic contact layers 15 and 16 are formed on both sides of the upper surface of the semiconductor thin film 14 for the device composed of true amorphous silicon. - 特許庁