スキャッタリングの英語

導線近傍にスキャッタリング・バーを配置させてなる半導体デバイス例文帳に追加

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SCATTERING BAR ARRANGED NEAR WIRES - 特許庁

次のステップ（ステップ３４）は、横および縦のマスクにサブ解像度のスキャッタリング・バーまたはアシスト・フィーチャを施す。例文帳に追加

The next step (a step 34) is to apply a scattering bar or assist feature of sub-resolution to the lateral and vertical masks. - 特許庁

半導体デバイス１００の製造が終了した後にも、このスキャッタリング・バー１０８aおよび１０８bは残したままとする。例文帳に追加

After the manufacture of the semiconductor device 100 is completed, the scattering bars 108a and 108b are left, as they are. - 特許庁

スキャッタリング・バー１０８aおよび１０８bを孤立した導線１０６bの両側に配置することによりリソグラフィーの結果を改善する半導体デバイス１００の製造方法である。例文帳に追加

This method is for manufacturing the semiconductor device 100 that improves the result of lithography, by arranging scattering bars 108a and 108b on both sides of each wire 106b. - 特許庁

凸面４２の幅をある値より狭くすることで、電子放出部３２を飛び越えた電子が導電膜４４上でスキャッタリングする際に、電子が着地する領域を狭くし、電子の放出効率を向上させる。例文帳に追加

By making narrower a width of the convex surface 42 than a certain value, a landing area of electrons is made narrower and an electron emission efficiency is improved when the electrons jumping over the electron emission part 32 are scattered on the conductive membrane 44. - 特許庁

このスキャッタリング・バー１０８aおよび１０８bは、半導体デバイスパターニング時における孤立した導線１０６bの焦点深度を向上させるに十分な幅を有し、かつ、該導線１０６bの焦点深度を向上させるに十分な距離だけ該孤立した導線１０６bから離間させて配置される。例文帳に追加

The scattering bars 108a and 108b have a width sufficient for improving the depth of focus of the isolated wire 106b during semiconductor device patterning and are arranged at a distance from the isolated wire 106b sufficient to improve the depth of focus of the wire 106b. - 特許庁

パターン付きマスクの欠陥検査において、スキャッタリングバーなどのＯＰＣパターンに由来する微小な無視したい欠陥を除去する検査装置及び検査方法とその検査装置及び検査方法を用いたパターン基板の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an inspecting device and an inspecting method that remove a fine defect desirous of being ignored which originates from an OPC pattern of a scattering bar etc., in defect inspection of a mask with a pattern, and a manufacturing method for a pattern substrate using the inspecting device and inspecting method. - 特許庁