ストイキオメトリックの英語

超平滑な、膜の深部まで完全に酸化膜となっており、粒径が揃っており、ターゲット基板表面に対して低ダメージでコーティング可能で、ストイキオメトリックな希土類酸化物膜を作製する技術を提供する。例文帳に追加

To provide a technology for manufacturing a stoichiometric rare-earth oxide film which is an ultra-smooth oxide film completely to the membrane deep part, has a uniform particle diameter and is capable of coating the surface of a target substrate with low damage. - 特許庁

Li/Nbのモル分率が0.95-1.01の範囲のストイキオメトリックに近いLiNbO_3結晶基板と、前記結晶表面近傍に形成されたプロトン交換層とを含む光学素子とする。例文帳に追加

The optical device has a nearly stoichiometric LiNbPO3 crystal substrate having the molar ratio of Li/Nb ranging from 0.95 to 1.01 and a proton exchange layer formed near the surface of the crystal. - 特許庁

窒化アルミニウム２基板の両面にシリコン窒化膜を堆積した熱伝導部材１であり、該シリコン窒化膜が、ストイキオメトリック組成に比べてシリコンリッチであり、且つ屈折率が波長Ｉ＝６３３ｎｍにおいて２．０を超える事を特徴とする熱伝導部材。例文帳に追加

The heat conduction member 1 is obtained by depositing silicon nitride film on both surfaces of aluminum nitride 2 substrate, wherein the silicon nitride film is rich in silicon as compared to the stoichiometric composition and has a refractive index more than 2.0 at wavelength I=633 nm. - 特許庁

ストイキオメトリックＬＮ結晶に形成したプロトン交換層を利用することにより、高い屈折率変化量が実現し、光学素子特性を向上し、プロトン交換層の散乱損失の低減及びプロトン交換層内の光学定数を向上した光学素子を提供する。例文帳に追加

To provide an optical device that a large change amount in the refractive index can be obtained by using a proton exchange layer formed in a stoichiometric LN crystal, the characteristics of the optical device are improved, the scattering loss in the proton exchange layer is decreased and the optical constant in the proton exchange layer is improved. - 特許庁

および、モル分率Ｌｉ_２Ｏ／（Ｎｂ_２Ｏ_５＋Ｌｉ_２Ｏ）が０．４９５〜０．５０２であるストイキオメトリックニオブ酸リチウム単結晶を、少なくとも、水蒸気の導入雰囲気で、かつキュリー温度以上の温度で電圧を印加しながら加熱し、冷却することを含むニオブ酸リチウム単結晶ウエーハの製造方法。例文帳に追加

The method for producing the lithium niobate single crystal wafer comprises heating a stoichiometric lithium niobate single crystal having a molar fraction Li_2O/(Nb_2O_5+Li_2O) of 0.495 to 0.502 at a temperature not lower than the Curie temperature under at least a steam-introducing atmosphere while applying a voltage and then cooling the single crystal. - 特許庁