スピン配向の英語

ＴＦＴアレイ基板１０および対向基板２０に対して配向膜２４、３２を形成するにあたって、配向膜形成装置７００において、スピンコート装置３００で試験用基板に配向膜を形成した後、焼成装置４００で焼成し、しかる後に、配向膜の膜厚を膜厚測定装置５００で計測する。例文帳に追加

In the case of forming oriented films 24, 32 on a TFT array substrate 10 and a counterposed substrate 20, the oriented film forming device 700 forms an oriented film on a testing substrate by a spin coater 300, and then measures the film thickness of the oriented film by a film thickness measuring device 50. - 特許庁

基準軸を有する４リアクションホイールシステムを利用するように構成されている機載姿勢制御システムであり、リアクションホイールスピン軸のうちの少なくとも３軸は基準軸に対し傾斜して配向されている。例文帳に追加

A four reaction wheel system having a reference shaft is used in this onboard attitude control system, and at least 3 shafts among reaction wheel spin shafts are oriented obliquely relative to the reference shaft. - 特許庁

スパッタリング法やＭＯＣＶＤ法などで成膜したのと同等の配向性を有した強誘電体薄膜を、スピンコート法、ＭＯＤ法などの塗布法で安価に成膜することを可能にする。例文帳に追加

To form a ferroelectric thin film having an orientation property equal to that of one film-formed by a sputtering method, an MOCVD method or the like, by a coating method such as a spin coating method or an MOD method at a low cost. - 特許庁

本発明はスピンバルブ型の薄膜磁気素子の構造のバックド層の結晶配向性を良好にして抵抗変化率の向上を図ることを目的とする。例文帳に追加

To improve crystal orientation of a backed layer in the structure of a spin valve type thin-film magnetic element for improved resistance change factor and also to reduce coercive force of a free magnetic layer adjoining the backed layer for improved soft-magnetic characteristics and detection sensitivity. - 特許庁

ＮｉＦｅＣｒ又はＮｉＣｒからなる第２下地層をｂｃｃ構造の（１１０）配向させて、スピンバルブ膜の結晶粒径を大きくし、ｆｃｃ構造の（１１１）配向を向上させるため、熱的・磁気的に高い安定性が得られ、高い磁気抵抗変化率及び磁気抵抗変化の線形性など、磁気変換特性の向上を達成することができる。例文帳に追加

The second substrate layer 4 made of NiFeCr or NiCr is made to have (110) orientation of the bcc structure to make crystal grain size of a spin bulb film large and to improve (111) orientation of fcc structure and thereby thermal and magnetic high stability can be obtained, improvement of magnetic conversion characteristic such as high change rate of magnetoresistance and linearity of magnetoresistance change can be attained. - 特許庁

電気光学装置１において、ＴＦＴアレイ基板１０および対向基板２０にスピンコート法で配向膜２４、３２を形成した後、酸素ガス間接放電方式により発生させた大気圧プラズマにより、ＴＦＴアレイ基板１０および対向基板２０の裏面１０７、２０７および側面１０８、２０８に付着している余計な配向膜２４０、３２０を除去する。例文帳に追加

In the electrooptical device 1, after alignment layers 24 and 32 are formed on a TFT array substrate 10 and a counter substrate 20 by a spin coating method, unnecessary alignment layers 240 and 320 adhered to the back surfaces 107 and 207 and side surfaces 108 and 208 of the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 are removed by atmospheric pressure plasma generated by an oxygen gas indirect discharging method. - 特許庁

更に、方法は、非磁化異方性永久磁石セグメント１９の最適磁化配向方向が磁化固定具１２により発生される複数の磁束線と整列されるように、組み立てられた非磁化異方性永久磁石セグメント１９を回転子スピンドル１８の周囲に位置決めすることを含む。例文帳に追加

Further, the method includes positioning the assembled non-magnetized anisotropic permanent magnet segments 19 around the rotor spindle 18 such that the optimal magnetization orientation directions of the non-magnetized anisotropic permanent magnet segments 19 are aligned with multiple flux lines produced by a magnetization fixture 12. - 特許庁

Ｔａ層と、ｆｃｃ［１１１］またはｈｃｐ［００１］結晶配向構造を有する金属層Ｍ１とを含む複合シード層２１の上に、高い垂直磁気異方性（ＰＭＡ）を示す多層構造（磁性層Ａ１／磁性層Ａ２）_x を含むスピン注入層２２を形成する。例文帳に追加

A spin injection layer 22 including a multi-layer structure (magnetic layer A1/magnetic layer A2)_x exhibiting a high perpendicular magnetic anisotropy (PMA) is formed on a composite seed layer 21 including a Ta layer and a metal layer M1 having a fcc[111] or hcp[001] crystal orientation structure. - 特許庁