セルゲの英語

メモリセルゲート２の両側に、ソース領域３およびドレイン領域４を形成する。例文帳に追加

On either side of the memory cell gate 2, a source region 3 and a drain region 4 are formed. - 特許庁

前記セルゲートパターン周辺のセル活性領域上にセル電気ノードが配置される。例文帳に追加

A cell electric node is arranged on the cell active region in the periphery of the cell gate pattern. - 特許庁

その補正結果を用いて、収集手段２０５はピクセルゲイン情報を生成する。例文帳に追加

A collection means 205 generates pixel gain information by using the corrected result. - 特許庁

それによって、選択トランジスタ領域とセルゲートとの間で干渉現象が発生するのを抑え、選択トランジスタ領域に最隣接のセルゲートとの間の幅を減らして保存特性を改善し、選択トランジスタ周辺のセルゲートの電流特性を維持するとともに、流れる電圧の過多過小を防いで好適なセル特性を得て、セルゲートのプログラム特性を均一に維持する。例文帳に追加

Thus the interference phenomenon generated between the selective transistor region and the cell gate is suppressed and space width between the selective transistor region and the nearest cell gate is reduced to improve storage properties, current properties of the cell gates around the selective transistor are maintained, appropriate cell properties are obtained, and program properties of the cell gate are kept uniform. - 特許庁

セルゲート絶縁膜をパターニングしてセルアレイ領域の第１領域上にセルゲート絶縁膜を残して、セルアレイ領域の第２領域及び周辺回路領域を露出させる。例文帳に追加

The cell gate insulation film is patterned to leave the cell gate insulation film on the first area of a cell array area, and the second area and the peripheral circuit area of the cell array area are exposed. - 特許庁

セルゲート絶縁膜１４をパターニングしてセルアレイ領域ａの第１領域上にセルゲート絶縁膜１４を残して、セルアレイ領域ａの第２領域及び周辺回路領域ｂを露出させる。例文帳に追加

The cell gate-insulating film 14 is patterned to leave the film 14 on a first region of a cell array region a and expose a second region of a cell array region a and a peripheral circuit region b. - 特許庁

ｎ型シリコン基板１の主面上に複数のセルゲート２が離間形成され、このセルゲート２間のシリコン基板１の主面ｎ型拡散層７が形成されている。例文帳に追加

A plurality of cell gates 2 are formed at intervals on a principal surface of an n-type silicon substrate 1, and n-type diffusion layers 7 are formed in the principal surface of the silicon substrate 1 between the cell gates 2. - 特許庁

テルミン：一九二〇年、ロシアの物理学者レフ・セルゲイヴィッチ・テルミンが作った世界初の電子楽器。例文帳に追加

Theremin: The world's first electronic musical instrument, made by Russian physicist Lev Sergeivitch Termen in 1920. - Tatoeba例文