セレン化ゲルマニウムの英語

この化学的性質を用いて、相変化メモリデバイス及び光電池デバイスのためのゲルマニウム−アンチモン−テルル（ＧｅＳｂＴｅ）膜及びゲルマニウム−アンチモン−セレン（ＧｅＳｂＳｅ）膜又はその他のテルル及びセレンをベースとする化合物を堆積させる。例文帳に追加

This chemistry is used to deposit germanium-antimony-tellurium (GeSbTe) and germanium-antimony-selenium (GeSbSe) films or other tellurium and selenium based compounds for phase change memory and photovoltaic devices. - 特許庁

メモリセル400では、セレン化ゲルマニウム（Ge_XSe_(1-x)）のようなセレン化銀406とカルコゲニド・ガラス404とが、アクティブ層に混合されて、電極402,410間に加えられた電位の存在によって、導電性経路の形成を維持する。例文帳に追加

In a memory cell 400, silver selenide 406 and a chalcogenide glass 404 such as germanium selenide (Ge_XSe_(1-x)) are combined in an active layer to support the formation of conductive pathways in the presence of an electric potential applied between electrodes 402, 410. - 特許庁

ｐ−ドープまたはｎ−ドープされた半導体材料を含む熱変換器において、前記半導体材料が物質の組：ケイ化物、ホウ化物、ゲルマニウム化物、テルル化物、硫黄化物、セレン化物、アンチモン化物、鉛化物および半導体酸化物、の１組から選択され、物質の組の少なくとも２種の化合物を結合することで形成される、少なくとも１種の三元材料であることを特徴とする。例文帳に追加

Related to a thermal converter comprising a p-doped or an n-doped semiconductor material, the semiconductor material is at least one kind of ternary material formed by combining at least two kinds of compounds among material substance classes, while selected among them; silicide, boride, germanide, telluride, sulfide, selenide, antimonide, lead compound, and semiconductor oxide. - 特許庁