タンタル窒化物の英語

タンタルハロゲン化物、窒素源ガス、およびシリコン源ガスをプラズマ分解し、基板上にアモルファス状のタンタル・シリコン窒化物膜を形成する第１工程と、該シリコン源ガスの導入を中止し、第１工程と同様の操作を続けて、該タンタル・シリコン窒化物膜上にアモルファス状のタンタル窒化物膜を形成する第２工程とを含む。例文帳に追加

The method comprises a first step of depositing tantalum halide, nitrogen source gas and silicon source gas with plasma to form an amorphous tantalum/silicon nitride film on a substrate, and a second step of stopping introducing the silicon source gas and executing the same operation as in the first step to form an amorphous tantalum nitride film on the tantalum/silicon nitride film. - 特許庁

自己マスク層は窒素化タンタル・ケイ素系材料（ＴａＳｉＯＮ）、タンタル・ホウ素酸化物系材料（ＴａＢＯ）、又は酸化及び窒素化タンタル系材料（ＴａＯＮ）の１つを含む。例文帳に追加

The self-mask layer 108 comprises one of nitrogenized tantalum and silicon-based materials (TaSiON), tantalum boron oxide-based materials (TaBO) or oxidized and nitrogenized tantalum-based materials (TaON). - 特許庁

ＣＶＤ法でアモルファス状のタンタル窒化物およびタンタル・シリコン窒化物の薄膜を低温で形成して、低抵抗で、かつバリア性の優れたバリアメタル膜を提供すること。例文帳に追加

To provide a barrier metal film which has low resistance and superior barrier property by forming a thin film of amorphous tantalum nitride or tantalum silicon nitride at a low temperature by CVD method. - 特許庁

第２工程において、シリコン源ガスの導入を中止することにより、タンタル・シリコン窒化物膜上にシリコン含有量が徐々に減少した傾斜膜であるアモルファス状のタンタル・シリコン窒化物を形成する。例文帳に追加

In the second step, an amorphous tantalum nitride film, i.e., a gradient film is formed on the tantalum/silicon nitride film, by stopping introduction of silicon to gradually reduce the silicon content. - 特許庁

ハ　容量が〇・〇五リットル超二リットル未満のるつぼであって、重量比による純度が九八パーセント以上のタンタル製のもの又はそのタンタルで裏打ちされたもののうち、タンタルの炭化物、窒化物、ほう化物又はこれらのいずれかを組み合わせたもので被覆されたもの例文帳に追加

(c) Among crucibles with a capacity exceeding 0.05 liters and less than 2 liters, made from or lined with tantalum with a weight-based purity level of 98% or more, those that are coated with tantalum carbide, tantalum nitride, tantalum boride, or a combination thereof発音を聞く  - 日本法令外国語訳データベースシステム

セラミック基板２上にチタンを主成分とした薄膜３を介してルテニウム酸化物，ルテニウム窒化物，タンタル酸化物およびタンタル窒化物のいずれか１種の金属化合物からなる抵抗体層４を一体に形成したことを特徴とする。例文帳に追加

A resistor layer 4, composed of one kind of a metal compound from among ruthenium oxide, ruthenium nitride, tantalum oxide and tantalum nitride is collectively formed on a ceramic substrate 2 via a thin film 3, whose main component is titanium. - 特許庁

下部電極１０３と上部電極１０６との間に介在され、両電極１０３，１０６間に与えられる電気的信号に基づいて可逆的に抵抗値が変化する可変抵抗層１０５が、少なくともタンタルと窒素とを含む酸化物層を含んでおり、その酸化物層は、タンタルと窒素とを含むタンタル窒化物層の少なくとも一部を酸化することにより形成される。例文帳に追加

A variable resistance layer 105 interposed between a lower electrode 103 and an upper electrode 106, of which the resistance changes reversibly based on an electrical signal given between the both electrodes 103, 106, includes an oxide layer containing at least tantalum and nitrogen, wherein the oxide layer is formed by oxidizing at least a part of a tantalum nitride layer containing tantalum and nitrogen. - 特許庁

誘電体層２１−１は金属層１９−１上に設けられ、誘電体層２１−１は、シリコン酸化膜，シリコン窒化物，シリコン酸窒化物，酸化ハフニウム，タンタル酸化物等からなる。例文帳に追加

A dielectric layer 21-1 is provided on the metal layer 19-1 and the dielectric layer 21-1 includes a silicon oxide film, a silicon nitride, a silicon oxynitride, a hafnium oxide, a tantalum oxide and the like. - 特許庁