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電荷拡散の英語
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英訳・英語 charge diffusion
「電荷拡散」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 209件
n型拡散層107はn型拡散層106と一体となってRedの画素における信号電荷蓄積層として機能する。例文帳に追加
The n-type diffusion layer 107, together with the n-type diffusion layer 106, functions as a signal charge accumulating layer in the pixels of Red. - 特許庁
光電変換素子25に蓄積された電荷は、第1拡散層55を通じて第2拡散層60へ転送される。例文帳に追加
Charges accumulated in the photoelectric conversion element 25 are transferred to the second diffusion layer 60 through the first diffusion layer 55. - 特許庁
浮遊拡散層は、垂直伝送部から伝送される信号電荷を信号電圧に転換する。例文帳に追加
The floating diffusion layer converts a signal charge transmitted from a vertical transmitting part into signal voltage. - 特許庁
第1導電型の電荷転送先拡散層22は、半導体基板11の表面に形成されている。例文帳に追加
A first conductivity type charge transfer destination diffusion layer 22 is formed on a surface of the semiconductor substrate 11. - 特許庁
浮動拡散型増幅器を有する電荷結合素子型イメージセンサを提供する。例文帳に追加
To provide a charge coupled device type having a floating diffusion type amplifier. - 特許庁
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「電荷拡散」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 209件
光電変換部は、不純物拡散領域を有し、受光量に応じた信号電荷を生成する。例文帳に追加
The photoelectric conversion part has an impurity diffusion region and generates signal charges depending on the quantity of received light. - 特許庁
P型拡散領域38で発生した電荷がN型領域60に吸い込まれる。例文帳に追加
The charge generated in the P-type diffusion region 38 is absorbed in the N-type region 60. - 特許庁
光拡散剤6の負電荷としては10μC/g以上1000μC/g以下が好ましい。例文帳に追加
Negative electric charges of the light diffusing agent 6 are preferably 10 to 1000 μC/g. - 特許庁
従って、電荷蓄積用不純物拡散領域と第2転送電極との位置ずれは生じない。例文帳に追加
Consequently, any position displacement between the impurity diffusion region for charge storage and the second transfer electrode is prevented from happening. - 特許庁
浮遊拡散層43は第1不純物型でドーピングされ、信号電荷を受信する。例文帳に追加
The floating diffusion layer 43 is a doped first impurity type for receiving signal charge. - 特許庁
このため、第2拡散層16の形成時に不純物が広範囲に拡散するため、第2拡散層16がゲート電極13と重なる部分を比較的大きくすることができ、電荷の転送効率を向上できる。例文帳に追加
Therefore, since the impurity is diffused broadly at the second diffusion layer 16 forming time, the second diffusion layer 16 can enlarge a part superposed with the gate electrode 13 relatively, and the transfer efficiency of the charge can be improved. - 特許庁
本発明の電荷転送トランジスタは、第1の拡散領域及び第2の拡散領域と、制御信号により、前記第1の拡散領域から第2の拡散領域への電荷転送を制御するゲートと、該ゲートの下部に統合された電位井戸とを備え、前記第1の拡散領域がピンドフォトダイオードであることを特徴とする。例文帳に追加
The charge transfer transistor has first and second diffusion regions, a gate for controlling charge transfer from the first diffusion region to the second diffusion region by a control signal, and a potential well integrated with the lower portion of the gate wherein the first diffusion region is a pinned photodiode. - 特許庁
信号電荷蓄積部7は、浮遊拡散領域22と基板20との間の接合容量C_FDによって信号電荷を蓄積する。例文帳に追加
The signal charge storage part 7 stores the signal charge by a coupling capacitor CFD between the stray diffusion area 22 and the substrate 20. - 特許庁
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