データ保持温度範囲の英語

温度検出部１２Ａによる所定温度ｔｘ０の検出によりリフレッシュ制御回路２５の制御が切り替わり、高温領域において短周期で、低温領域において長周期をリフレッシュ動作を行わせることにより、全温度範囲でのメモリセル２６のデータ保持特性を維持しながら低温領域における消費電流ＩＤＤを低減することができる。例文帳に追加

Control of the refresh-control circuit 25 is switched by detection of the prescribed temperature tx0 by the temperature detecting section 12A, current consumption IDD in a low temperature region can be reduced keeping a data holding characteristic of the memory cell 26 in whole temperature range by performing refresh-operation with a short period in a high temperature region, with a long period in a low temperature region. - 特許庁