トンネリング速度の英語

第１トンネリング絶縁膜２１０及び第２トンネリング絶縁膜２６０は、５Åないし２０Åの厚さを有する金属酸化膜から形成され、数十ナノサイズのストレージと数Åないし数十Åの厚さを有する絶縁膜を使用することによって、マルチビットの保存及び高集積が容易であり、高速動作速度及び低消費電力を実現することができる。例文帳に追加

The first tunneling insulating film 210 and second tunneling insulating film 260 are each formed of a metal oxide film having a thickness of 5 Å to 20 Å, and employing a several tens nanometer-sized storage and an insulating film of several Å to several tens Å in thickness may facilitate multi-bit storage and high integration and furthermore may achieve high operation speed and reduction of power consumption. - 特許庁

回路の動作速度の低下を招くことなく、バンド間トンネリング現象に起因する消費電流を有効に抑制することができる半導体装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor device that restrains consumption current effectively, caused by banding to band tunneling, without causing deterioration in circuit operation speed. - 特許庁

剥離速度の影響の少ない離型フィルムを採用することにより、剥離速度が速くなっても剥離力が大きくならず、その結果、基材の変形等の不具合が発生せず、トンネリング等の不具合が発生することもない粘着シートを提供する。例文帳に追加

To provide an adhesive sheet in which a peeling force does not become large even if a peeling rate becomes fast by using a mold release film with less influence of the peeling rate and accordingly, defects such as deformation of a substrate, and tunneling do not occur. - 特許庁

強電界ドリフト層６は、陽極酸化処理により形成された多孔質多結晶シリコン層を、シリコン酸化膜６４の厚さが電子のトンネリング現象が発生する膜厚となるように昇温速度を設定した急速加熱法によって熱酸化することで形成する。例文帳に追加

By rapid heating method, in which the temperature-increase rate is set so that the thicknesses of the silicon oxide films 64 will be film thicknesses, in which tunneling phenomenon is generated, the strong field drift layer 6 is formed by a thermal oxidation of a porous polycrystalline silicon layer formed by a positive electrode oxidation treatment. - 特許庁