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和英宇宙実験対訳用語集での「ドナー供与体」の英訳

ドナー供与体


「ドナー供与体」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 10



例文

真性又は実質的に真性な半導は、酸化物半導中で電子供与ドナー)となる不純物を除去し、シリコン半導よりもエネルギーギャップが大きいものを用いる。例文帳に追加

An intrinsic or substantially intrinsic semiconductor from which an impurity which is an electron donor (donor) is removed from an oxide semiconductor and has a larger energy gap than a silicon semiconductor is used. - 特許庁

なお、当該酸化物半導層は、電子供与ドナー)となる不純物(水素又は水など)を徹底的に除去することにより高純度化された酸化物半導層である。例文帳に追加

The oxide semiconductor layer is highly purified by thoroughly removing impurities (hydrogen, water, or the like) becoming electron donors. - 特許庁

当該酸化物半導積層は、結晶成長の工程において、酸化物半導積層に含まれる電子供与ドナー)となる不純物が除去されるため、酸化物半導積層は、高純度化され、キャリア密度が低く、真性または実質的に真性な半導であって、シリコン半導よりもバンドギャップが大きい。例文帳に追加

The stacked body of the oxide semiconductor has a wider band gap than that of a silicon semiconductor. - 特許庁

陰極に接する有機化合物層に電子供与として機能する有機化合物(以下、ドナー性分子と示す)をドーピングすることにより、陰極と有機化合物層の間にそれぞれの最低空分子軌道(LUMO:Lowest Unoccupied Molecular Orbital)準位の間のドナー準位を形成することができるので、陰極からの電子の注入、および注入された電子の伝達を効率良く行うことができる。例文帳に追加

As a donor level existing between respective lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) levels can be formed between a negative electrode and an organic compound layer, the injection of electron from the negative electrode and the transmission of injected electron can be efficiently carried out by doping an organic compound functioning as an electron donor (hereinafter referred to as donor-natured molecule) in an organic compound layer contacting with the negative electrode. - 特許庁

陰極に接する有機化合物層に電子供与として機能する有機化合物(以下、ドナー性分子と示す)をドーピングすることにより、陰極と有機化合物層の間にそれぞれの最低空分子軌道(LUMO:Lowest Unoccupied Molecular Orbital)準位の間のドナー準位を形成することができるので、陰極からの電子の注入、および注入された電子の伝達を効率良く行うことができる。例文帳に追加

As a donor level at a Lowest Unoccupied Molecular Orbital (LUMO) level can be formed between a negative electrode and an organic compound layer, by doping an organic compound functioning as an electron donor (hereinafter referred to as donor molecule) into the organic compound layer adjacent to the negative electrode, injection of electron from the negative electrode and transmission of injected electron can be efficiently carried out. - 特許庁

本発明は、フラーレン誘導の濃度が異なる2種類のアクセプター溶液と、電子供与性の光電変換材料を含むドナー溶液と、を混合することを特徴とする光電変換層用塗工液の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。例文帳に追加

This invention solves the problem by presenting the manufacturing method of the coating liquid for the photoelectric conversion layer characterized in that this method includes a process of mixing two kinds of acceptor solutions each containing a fullerene derivative of a mutually different concentration and a donor solution containing an electron-donating photoelectric conversion material. - 特許庁

例文

半導基板上において、酸化物半導中で電子供与ドナー)となる不純物を除去することで、真性又は実質的に真性な半導であって、シリコン半導よりもエネルギーギャップが大きい酸化物半導でチャネル領域が形成されるトランジスタを用い、LSIやCPUやメモリなどの半導集積回路を作製する。例文帳に追加

A semiconductor integrated circuit such as an LSI, a CPU or a memory is manufactured using a transistor with a channel region formed using an oxide semiconductor which is an intrinsic or substantially intrinsic semiconductor obtained by removing impurities serving as electron imparting parts (donors) in the oxide semiconductor and has a larger energy gap than a silicon semiconductor over a semiconductor substrate. - 特許庁

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「ドナー供与体」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 10



例文

酸化物半導中で電子供与ドナー)となる不純物を除去することで、真性又は実質的に真性な半導であって、シリコン半導よりもエネルギーギャップが大きい酸化物半導でチャネル領域が形成される薄膜トランジスタを用い、LSIやCPUやメモリなどの半導集積回路を作製する。例文帳に追加

A semiconductor integrated circuit such as an LSI, a CPU, or a memory is manufactured using a thin film transistor in which a channel formation region is formed using an oxide semiconductor which becomes an intrinsic or substantially intrinsic semiconductor by removing impurities serving as electron donors (donors) in the oxide semiconductor and has larger energy gap than that of a silicon semiconductor. - 特許庁

酸化物半導中で電子供与ドナー)となる不純物を除去することで、真性又は実質的に真性な半導であって、シリコン半導よりもエネルギーギャップが大きい酸化物半導でチャネル形成領域が形成される薄膜トランジスタによって、電子書籍の表示パネルの表示を制御するものである。例文帳に追加

Display on the display panel of the e-book reader is controlled by a thin film transistor whose channel formation region is formed using an oxide semiconductor which is an intrinsic or substantially intrinsic semiconductor by removal of an impurity that might be an electron donor in the oxide semiconductor and has a larger energy gap than a silicon semiconductor. - 特許庁

例文

非水系空気電池は、リチウムイオンを吸蔵放出する材料を負極活物質とする負極と酸素を正極活物質とする正極とを非水電解質を介して配置した非水系空気電池であって、前記正極は、ポルフィリン環を有する電子供与性のドナー(D)とフラーレン誘導である電子受容性のアクセプタ(A)とを導電性のスペーサを介して連結したドナー・アクセプタ分子を含むものである。例文帳に追加

The nonaqueous air battery is equipped with a negative electrode using a material absorbing and releasing lithium ions as a negative active material, a positive electrode using air as a positive active material, and a nonaqueous electrolyte arranged between them, and the positive electrode contains a donor acceptor molecule formed by connecting an electron donative donor (D) having a porphyrin ring and an electron acceptive acceptor (A) which is a fullerene derivative through a conductive spacer. - 特許庁

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