ナノドット形成の英語

規則的に配置されるナノドットを形成するナノドット形成方法は、基板を提供する過程（ステップＳ１）と、基板上に金属薄膜を形成する過程（ステップＳ２ａ）と、微細パターンの溝を形成する過程（ステップＳ３ａ）と、焼鈍する過程（ステップＳ４）とからなる。例文帳に追加

The method for forming regularly-disposed nanodots includes: a step (step S1) of supplying a substrate, a step (step S2a) of forming a thin metal film on the substrate, a step (step S3a) of forming a fine patterned grooves, and a step (step S4) of performing annealing. - 特許庁

基板１１上にゲート絶縁膜１２を形成し、その上にＺｎＯなどの酸化物半導体から成る複数のナノドット１３ａが一面内において二重ショットキー障壁１３ｂを介して互いに接合した多重ナノドット構造体１３を形成し、その上にソース電極１４およびドレイン電極１５を形成することにより、ＭＯＳＦＥＴ構造のトンネル負性抵抗素子を構成する。例文帳に追加

A tunnel negative resistance element having a MOSFET structure is composed by forming a gate insulation film 12 on a substrate 11, forming thereon a multiple nanodot structure 13 composed of a plurality of nano-dots 13a which are made of an oxide semiconductor such as ZnO, etc. and mutually bonded through a double Schottky barrier 13b in one plane, and forming a source electrode 14 and a drain electrode 15 thereon. - 特許庁

シリコン酸化物層上に均一なサイズ及び配列を有する、シリコン酸化物上に形成されたナノドット構造体及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a nanodot structure formed on a silicon oxide having a uniform size and an array on a silicon oxidized layer, and to provide a manufacturing method of the same. - 特許庁

本発明の磁気記録媒体は、Ｆｅ酸化物のナノドットから成る層の上にＦｅ層とＰｔ層を順に積層し、所定温度に加熱してＦｅ層とＰｔを合金化することにより形成する。例文帳に追加

The magnetic recording medium is formed by laminating an Fe layer and a Pt layer successively on a layer consisting of nano dots of an Fe oxide and heating the layers at a prescribed temperature to alloy the Fe layer and the Pt layer with each other. - 特許庁

ステップＳ３ａでは、形成すべきナノドットに対応する所望の微細パターン形状を有する押し込み工具を、金属薄膜が貫通しない程度に金属薄膜上に押し込む。例文帳に追加

In the step S3a, a push-in tool having a desired fine pattern shape corresponding to the nanodots to be formed is pushed in the thin metal film so as not to penetrate the thin metal film. - 特許庁

Ｓｉ基板等の基板１１上に形成したＰｔ等の電極１５上にナノホール１３を有するナノテンプレート層１２を形成した後、ナノホール１３の内部にＣｒドープＳｒＴｉＯ_3 等の抵抗変化材料を充填してナノドット１４を形成する。例文帳に追加

After a nano-sized template layer 12 having nano-sized holes 13 is formed on an electrode 15 made of Pt etc., and formed on a substrate 11 made of Si etc., nano-sized dots 14 are formed in the nano-sized holes 13 by packing a resistance-variable material such as the Cr-doped SrTiO_3 etc., in the holes 13. - 特許庁

コアを形成する第１ステップと、コア表面をポリマーでコーティングする第２ステップと、ポリマーコーティングされたコアを熱処理してコア表面を覆うグラフェン層を形成する第３ステップと、を含むナノドット形成方法。例文帳に追加

The method of forming the nano dots include a first step for forming cores, a second step for coating the surfaces of the cores with a polymer, and a third step for forming graphene layers covering the surfaces of the cores by thermally treating the cores coated with the polymer. - 特許庁

シリコン基板１に形成した極薄酸化膜２上に分子線エピタキシャル法を用いてＧｅ５とＳｎ６とを蒸着することで、ＧｅＳｎ半導体のナノメーターサイズの微結晶（ナノドット）３を超高密度に形成して、ＧｅＳｎ半導体デバイスを得る。例文帳に追加

By vapor depositing Ge5 and Sn6 on an ultra-thin oxide film 2 formed on a silicon substrate 1 using a molecular beam epitaxial method, a microcrystal(nano-dots) 3 of nanometer-size of GeSn semiconductor is formed at an ultra high density, thus obtaining a GeSn semiconductor device. - 特許庁