薄膜検出器の英語

Ａｌ系超伝導フォトン検出器を製造する際に、超伝導フォトン検出器用の基板に、超伝導材料としてＡｌ薄膜を積層し、このＡｌ薄膜上にレジスト処理によるマスクを形成して、基板及びＡｌ薄膜をチャンバー内に収容する。例文帳に追加

The method for manuacturing the Al system superconducting photon detector comprises steps of laminating the Al thin film as the superconducting material on the substrate for the superconducting photon detector, forming a mask on the Al thin film by resist treatment, and housing the substrate and the Al thin film in a chamber. - 特許庁

α線を検出する放射線検出器において、半導体基板を精度よく薄膜化し、また薄膜化しても高い強度を有することができるようにする。例文帳に追加

To accurately thin a semiconductor substrate and to obtain high intensity even if the semiconductor substrate is thinned in a radiation detector for detecting α rays. - 特許庁

光検出器７は、試料１である薄膜にスポット光を照射したときにおける該薄膜からの反射光の輝度を、対物レンズ２を介して検出する。例文帳に追加

A photodetector 7 detects an intensity of a reflection light from the thin film through an objective lens 2 when the thin film as a sample 1 is irradiated with a spot light. - 特許庁

遠心薄膜乾燥機２に供給されるキャリアエアの流入口の上方の内周に対して、遠心薄膜乾燥機２の内部のガスや蒸気の温度を検出する温度検出器14を設ける。例文帳に追加

A temperature detector 14 for detecting the temperature of gas or vapor in a centrifugal thin film drying machine 2 is provided on the inner periphery of upper part of the inflow port of carrier air supplied to the centrifugal thin film drying machine. - 特許庁

検出器１５，１６は、結晶基板上に薄膜が形成された前記試料と前記薄膜を除去した後の前記試料の回折Ｘ線１４Ｄおよび鏡面反射Ｘ線１４Ｒを検出する。例文帳に追加

By using a detector 15 and a detector 16, diffracted X-rays 14D and specularly reflected X-rays 14R of the sample 14 in which a thin film is formed on a crystal substrate and those of the sample after the removal of the thin film are detected. - 特許庁

光源２より出射された光は、試料２を透過した後、結像光学系３で薄膜干渉フィルタ４上に結像され、薄膜干渉フィルタ４上に設置された光検出器５により検出される。例文帳に追加

Light emitted from a light source 2 is transmitted through a sample 2, and an image is formed on a thin-film interference filter 4 by an image-forming optical system 3 and is detected by a photodetector 5 installed on the thin-film interference filter 4. - 特許庁

圧力検出装置３０は、超伝導体から絶縁体へ遷移する臨界圧力が相互に異なる複数の超伝導体薄膜１１〜１４のうち、絶縁体へ遷移した超伝導体薄膜１２〜１４を電流計２４２，２５２，２６２によって検出し、その検出した超伝導体薄膜１２〜１４の臨界圧力のうち、最大の臨界圧力を容器１０内の圧力として検出する。例文帳に追加

The pressure detection device 30 detects superconductor thin films 12 to 14 which transited to the insulator from among a plurality of superconductor thin films 11 to 14 whose critical pressures to transit from a superconductor to an insulator are different with each other by ammeters 242, 252 and 262, and from among the detected critical pressures of the superconductor thin films 12 to 14, the maximum critical pressure is detected as the pressure in a container 10. - 特許庁

体動検出センサ（１１）を、受圧部となる第１の容器（２１）と、薄膜センサ（２３）と、薄膜センサ（２３）を格納している第２の容器（２２）と、から構成する。例文帳に追加

The body movement detection sensor unit (11) is configured to include a first case (21) serving as a pressure part, a thin film sensor (23), and a second case (22) containing the thin film sensor (23). - 特許庁