ハマスの英語

対象物５（ウエハ、マスク等の基板）を固定するようになされた支持構造マスクステージ、ウエハステージを備えたリソグラフィ装置において、支持構造マスクステージ、ウエハステージおよび支持構造マスクステージ、ウエハステージ上に固定された対象物５（ウエハ、マスク等の基板）は区画を画定している。例文帳に追加

The lithography apparatus comprises a support structure mask stage for fixing an object 5 (a substrate such as a wafer and a mask) and a wafer stage, wherein partitions are delimited by the support structure mask stage, the wafer stage, and the object 5 (a substrate such as a wafer and a mask) fixed on the support structure mask stage and the wafer stage. - 特許庁

他の実施例は、プラズマ環境においてウエハを処理し、反応性気体流を事前ロードしてウエハマスクまたはエッチングストップ層の浸食を防ぐ方法を含む。例文帳に追加

Another example includes a method for processing a wafer in a plasma environment, pre-loading a reactive gaseous flow and previously preventing the erosion of a wafer mask or an etching stop layer. - 特許庁

ウエハ、マスク、ホトマスクおよびレチクルを含む半導体デバイスの製造に用いられる製品の検査中にスペックルを減少するための方法および装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method and apparatus for reducing speckle during inspection of articles used in the manufacture of semiconductor devices, including wafers, masks, photomasks, and reticles. - 特許庁

（ハ）マス目のよこの列右はしは収入、仕入、費用、負債、現金に属する項目を含まないその他の資産の各勘定科目（３）の合計欄にする。例文帳に追加

The sections at the right end in the horizontal rows are employed as the sum columns of the respective account items (3) of the other funds not including the items belonging to receipt, purchase, expense, liability and cash. - 特許庁

Symplocos racemosa，Cyperus rotundus（ハマスゲ），Cyperusscariosus，Gaultheria fragrantissima，Acacia fornensia，Terminalia chebula（ミロバランノキ），Ficus bengalensis（ベンガルボダイジュ（バンヤジュ）），Cassia fistula Linn（ナンバンサイカチ），Lyonia ovalifolia（ネジキ），Calophyllum inophyllum（テリハボク（ヤラボ、タマナ）），Ficus religiosa（テンジクボダイジュ）から選ばれる一種または二種以上の植物の抽出物を含有させる。例文帳に追加

This inhibitor is obtained by including one or more kinds of extracts of plants selected from Symplocos racemosa, Cyperus rotundus, Cyperusscariosus, Gaultheria fragrantissima, Acacia fornensia, Terminalia chebula, Ficus bengalensis, Cassia fistula Linn, Lyonia ovalifolia, Calophyllum inophyllum and Ficus religiosa. - 特許庁

半導体ウェハは、同一区画が碁盤目状に形成され、上記各区画に製品となる半導体素子を形成する製品エリアと、上記半導体素子を形成するための半導体ウェハマスクの位置合わせに使用されるターゲットエリアとを有する。例文帳に追加

The semiconductor wafer has: a product area in which the same compartments are formed on a grid and a semiconductor device becoming a product is formed in each compartment; and a target area used for semiconductor wafer mask alignment to form the semiconductor device. - 特許庁

マスクと半導体基板とを挟ギャップ化し高解像の露光を実現すると共に、万が一マスクと半導体基板とが接触した場合にもマスクの破損を回避できるリソグラフィー用のダイヤモンドウェハ、マスクブランクス及びマスク並びにダイヤモンドウェハの製造方法を提供する。例文帳に追加

To perform an exposure with high resolution by narrowing the gap between a mask and a semiconductor substrate, and to provide a diamond wafer, mask blanks and a mask for lithography and a method for manufacturing the diamond wafer capable of avoiding the breakage of the mask even if the mask comes into contact with the semiconductor substrate. - 特許庁

複数の領域を持ったウエハに対して複数のマスクパターンを交換して多重露光やスティッチング露光で転写を行い、これを複数のウエハを交換しながら各ウエハに対して順に行う際に、ウエハ（マスクパターン）を交換した際には、その交換前の最後に用いたマスクパターンで（最後に行ったショット領域に対して）、最初の露光を行う。例文帳に追加

Plural mask patterns are exchanged and transferred by multiplex exposure or switching exposure for a wafer 228 having plural regions, and at successive operating this to each wafer while exchanging those plural wafers, when the wafer (mask pattern) is exchanged, the first exposure is operated with the mask pattern used last (with respect to a shot region operated at least) before the exchange. - 特許庁