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バイアスひずみの英語
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該当件数 : 57件
磁歪素子及びバイアス磁界印加方法例文帳に追加
MAGNETOSTRICTIVE ELEMENT AND BIAS MAGNETIC FIELD APPLYING METHOD - 特許庁
超磁歪素子中の磁気バイアスをより均一化し、超磁歪ユニットの出力歪みを低減する。例文帳に追加
To reduce the output distortion of a supermagnetostrictive unit by equalizing a magnetic bias in a supermagnetostrictive element. - 特許庁
また、本発明による磁歪センサは、磁歪素子１１と、磁歪素子１１の透磁率の変化を検出する検出器２７と、磁歪素子１１にバイアス電流を流すバイアス電流源２２とを備えている。例文帳に追加
The magnetostrictive sensor is equipped with a detector 27 which detects a permeability change in the magnetostrictive element 11 and a bias current source 22 which lets a bias current flow through the magnetostrictive element 11. - 特許庁
本発明による磁歪アクチュエータは、磁歪素子１１と、磁界の印加によって磁歪素子１１を変位させるコイル１２と、磁歪素子１１にバイアス電流を流すバイアス電流源２２とを備えている。例文帳に追加
The magnetostrictive actuator is equipped with the magnetostrictive element 11, a coil 12 which applies a magnetic field so as to displace the magnetostrictive element 11, and a bias current source 22 which lets a bias current flow through the magnetostrictive element 11. - 特許庁
バイアス電圧に応じて歪発生ダイオード回路部が生成する歪を入力信号に加える。例文帳に追加
The distortion which a distortion generation diode circuit portion generates is added to the input signal in accordance with the bias voltage. - 特許庁
永久磁石１３、１５は磁歪素子１１に磁気バイアスを印加する。例文帳に追加
Permanent magnets 13 and 15 apply a magnetic bias to the magentostrictive element 11. - 特許庁
本発明によれば、バイアス電流によって磁歪素子に錆が発生しにくくなることから、磁歪アクチュエータや磁歪センサの信頼性を高めることが可能となる。例文帳に追加
The magnetostrictive element 11 can be protected against rust by a bias current, so that the magnetostrictive actuator or the magnetostrictive sensor can be improved in reliability. - 特許庁
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「バイアスひずみ」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 57件
そして、この歪量に基づき、バイアス制御部１１０において、電力増幅器１０５のバイアス電圧を制御する。例文帳に追加
A bias controlling part 110 controls the bias voltage of the power amplifier 105 on the basis of the distortion quantity. - 特許庁
磁歪材１と、磁歪材１にバイアス磁界を印加する永久磁石３と、電磁変換を行うコイル２とを備える。例文帳に追加
The magnetostrictive element is provided with the magnetostrictive material 1, the permanent magnet 3 for applying a bias magnetic field to the magnetostrictive material 1, and a coil 2 for carrying out electromagnetic conversion. - 特許庁
ケース１内に、バイアス磁界発生用磁石３、４を接合した超磁歪素子２を収容する。例文帳に追加
A super-magnetic distortion element 2 uniting bias magnetic field generating magnets 3 and 4 is accommodated in a case 1. - 特許庁
ア−リー効果により、差動増幅器の入力オフセット電圧がばらつく結果、出力バイアスが変動し、ダイナミックレンジ、ひずみ率等の特性が悪化する。例文帳に追加
To provide a differential amplifier circuit that decreases the Early effect that causes dispersion in an input offset voltage of the differential amplifier resulting in fluctuating an output bias and deteriorating the characteristic such as a dynamic range and a distortion factor. - 特許庁
したがって、歪補償バイアス回路４による歪補償量の周波数依存性と非線形減衰回路１５による歪補償量の周波数依存性とが互いに抑制し合うので、広い周波数帯にわたって低歪にて信号を増幅できる。例文帳に追加
With this configuration, since the frequency dependency of the distortion compensation quantity by the distortion compensation bias circuit 4 and the frequency dependency of the distortion quantity by the non-linear attenuation circuit 15 suppress with each other, signals can be amplified in a low distortion over wide frequency bands. - 特許庁
この出力信号に含まれる歪の周波数特性が相殺したい歪の周波数特性に一致するようにコンデンサ１２の容量値を設定し、出力信号の歪レベル（歪量の絶対値）をバイアス電圧Ｖｂにより調整する。例文帳に追加
A capacity value of the capacitor 12 is set so that a frequency characteristic of a distortion contained in this output signal is coincident with the frequency characteristic of the distortion to be offset, and a distortion level (an absolute value of a distortion amount) of the output signal is adjusted by a bias voltage Vb. - 特許庁
また、バイアス電圧を変化させることで、歪補償回路の通過利得および通過位相の変化量を調整できる。例文帳に追加
By changing the bias voltage, the excess gain of a distortion compensation circuit and a change in a passing phase is adjusted. - 特許庁
その結果、歪補償回路により歪みを抑制しながら、かつ低いバイアス信号レベルでの増幅動作が可能となる。例文帳に追加
As a result, the amplification is attained with the low bias signal level while suppressing distortion by the distortion compensation circuit. - 特許庁
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