ストレージ・エリア・ネットワーク・アプライアンスは、ワールド・ワイド・ネームによって識別することができ、かつストレージ・エリア・ネットワーク上の各マシンに関するブート・デバイス、ルート・ボリューム・グループ・デバイス、プライマリ・デバイス、およびセカンダリ・デバイスのリストを保管することができる。例文帳に追加

The storage area network appliance can be identified by a world wide name and can store lists of boot devices, root volume group devices, primary devices, and secondary devices for each machine on the storage area network. - 特許庁

例文

この場合、エンドデバイス３０−２は、接続希望親デバイスではないと判断して、ルータ２０−４を経由して接続希望親デバイス（ルータ２０−３）に直接接続要求（エンドデバイス３０−２を接続許可デバイスとする接続情報の作成指示）を送る。例文帳に追加

In this case, the end device 30-2 determines that the router is not the device, where the connection is expected, and sends a direct connection request (an instruction for preparing connection information with the end device 30-2 as a device, where connection is allowed) to the master device (router 20-3), where connection is expected, via the router 20-4. - 特許庁

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「バイスル」を含む例文一覧

該当件数 : 10件

例文

情報又はデータは、デバイス、ループ、ユニット、その他の健全性、変動性、能力又は利用性に関連する保守機能によって集められ得、そして、この情報は、次に、プロセスオペレータ又は保守要員に送り出され、その人に現在又は将来の問題を知らせるために表示される。例文帳に追加

Information or data may be collected by maintenance functions pertaining to the health, variability, performance or utilization of a device, loop, unit, etc. and this information may then be sent to and displayed to a process operator or maintenance person to inform that person of a current or future problem. - 特許庁

液晶ディスプレイ、ハードディスク用記録材料、固体撮像素子、太陽電池パネル、発光ダイオード、有機発光デバイス、ルミネセントフィルム、蛍光フィルム、ＭＥＭＳ、アクチュエーター、反射防止材料、レジスト、レジスト下層膜、レジスト上層膜、又はナノインプリント用テンプレート（モールド）に使用される膜形成組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a film-forming composition to be used in liquid crystal displays, recording materials for hard discs, solid imaging elements, solar cell panels light-emitting diodes, organic luminescent devices, luminescent films, fluorescent films, MEMS, actuators, antireflective materials, resists, resist lower layer films, resist upper layer films or templates (molds) for nanoimprinting use. - 特許庁

例文

プログラマブルな相互接続部、パスデバイス、ルックアップテーブル回路、及び／又は多入力論理回路の各々は、ダイナミックしきい値金属酸化物半導体（ＤＴＭＯＳ）トランジスター、完全空乏化金属酸化物半導体（ＦＤＭＯＳ）トランジスター、部分空乏化金属酸化物半導体（ＰＤＭＯＳ）トランジスター、及び／又は２段ゲート金属酸化物半導体トランジスターの１つ以上を有する。例文帳に追加

Each of the programmable interconnects, the pass devices, the look-up table circuits, and/or the multi-input logic circuits has at least one or more dynamic threshold metal oxide semiconductor (DTMOS) transistors, full-depleted metal oxide semiconductor (FDMOS) transistors, partially depleted metal oxide semiconductor (PDMOS) transistors and/or double-gate metal oxide semiconductor transistor. - 特許庁