バリアメタルの英語

バリアメタル１４１は、例えばＴｉＮ膜である。例文帳に追加

Barrier metal 141 is a TiN film, for example. - 特許庁

バリアメタル膜形成方法及び配線形成方法例文帳に追加

METHOD OF FORMING BARRIER METAL FILM, AND METHOD OF FORMING WIRING - 特許庁

その後表面にバリアメタル層４を形成する。例文帳に追加

After that, a barrier metal layer 4 is formed on the surface. - 特許庁

バンプ形成用バリアメタル及びバンプ形成方法例文帳に追加

BUMP-FORMING BARRIER METAL AND FORMATION OF THE BUMP - 特許庁

バリアメタル用研磨液及び研磨方法例文帳に追加

POLISHING FLUID FOR BARRIER METAL AND POLISHING METHOD - 特許庁

次にＲＦバリアメタル層１３の積層方向Ｚの一方側の表面６７上に、直流スパッタリングを用いてＤＣバリアメタル層１４を形成し、ＲＦバリアメタル層１３およびＤＣバリアメタル層１４から成るバリアメタル層を形成する。例文帳に追加

A DC barrier metal layer 14 is then formed using DC sputtering on one side surface 67 of the RF barrier metal layer 13 in the laminating direction Z, so that a barrier metal layer is formed from the RF barrier metal layer 13 and the DC barrier metal layer 14. - 特許庁

層間絶縁膜４上にバリアメタル膜５を介して電極パッド７および配線７´を形成し、電極パッド７の周囲にバリアメタル膜５が残るようにして、電極パッド７下のバリアメタル膜５が除去されたバリアメタル除去領域６をバリアメタル膜５に形成する。例文帳に追加

An electrode pad 7 and wiring 7' are formed on an interlayer insulating film 4 via a barrier metal film 5, the barrier metal film 5 is left around the electrode pad 7, and a barrier metal eliminated region 6 where the barrier metal film 5 is removed from under the electrode pad 7 is provided on the barrier metal film 5. - 特許庁

半導体基板１上に薄膜抵抗体１５を構成する金属薄膜およびバリアメタル１６を構成するバリアメタル薄膜を形成する。例文帳に追加

A metallic thin film constituting a thin film resistor 15, and a barrier metal thin film constituting a barrier metal 16 are formed on a semiconductor substrate 1. - 特許庁