ひ化ガリウムアルミニウムの英語

ガリウム、アルミニウムおよびインジウムから選ばれる少なくとも１つのIII族元素とアルカリ金属と液体の窒素化合物とを含む混合物を加熱して溶解させることによって、上記少なくとも１つのIII族元素と上記窒素化合物とを反応させてIII族窒化物結晶を成長させる。例文帳に追加

In the production method, a mixture containing at least one group III element selected from among gallium, aluminum, and indium, an alkali metal, and a liquid nitrogen compound is melted by heating, thereby reacting the group III element with the nitrogen compound to grow a group III nitride crystal. - 特許庁

半導体装置１０は、窒化ガリウムの半導体下層３０と、半導体下層３０の表面に設けられている窒化ガリウムアルミニウムの半導体上層４０と、半導体上層４０の表面に設けられている絶縁ゲート部５５を備えている。例文帳に追加

The semiconductor device 10 is provided with: a semiconductor lower layer 30 made of gallium nitride; a semiconductor upper layer 40 made of gallium nitride aluminum and provided on the surface of the semiconductor lower layer 30; and an insulating gate portion 55 provided on the surface of the semiconductor upper layer 40. - 特許庁

窒素ガス雰囲気下、ガリウム、アルミニウム等のIII族元素と、ナトリウム等のアルカリ金属を坩堝に入れ、加熱加圧して溶融し、単結晶を育成する際に、前記坩堝として（Ａ）融点若しくは分解温度が２１００℃以上の窒素非含有材質製の坩堝若しくは（Ｂ）希土類酸化物、アルカリ土類金属酸化物、Ｗ、ＳｉＣ、ダイヤモンドおよびダイヤモンドライクカーボンからなる群から選択される少なくとも一つの材質製の坩堝を使用する。例文帳に追加

A group III element such as gallium or aluminum and an alkali metal such as sodium are put into a crucible in a nitrogen gas atmosphere and thermally melted under pressure, thus growing a single crystal. - 特許庁