ピコ秒パルスレーザの英語

磁性体加工装置１は、パルス幅が１０フェムト秒から１００ピコ秒の超短パルスレーザー光を生成する超短パルスレーザー光生成装置２と、被加工物である磁性体Ｍを載置する精密移動用ステージ５と、超短パルスレーザー光を磁性体Ｍに照射する対物レンズ４と、精密移動用ステージ５に移動を制御する制御コントローラ６とを有する。例文帳に追加

The magnetic substance working apparatus 1 has an ultrashort pulse laser beam generator 2 which generates an ultrashort pulse laser beam of 10 femtoseconds to 100 picoseconds in pulse width, a precision moving stage 5 on which the magnetic substance M being a workpiece is placed, an objective lens 4 through which the magnetic substance M is irradiated with the ultrashort pulse laser beam, and a controller 6 which controls the movement of the precision moving stage 5. - 特許庁

絶縁層４のｎ^＋型埋込み層６の孔Ｈ１に露出する面にピコ秒〜フェムト秒パルスレーザ光が照射されると、絶縁層４が除去されると共に、ｎ^＋型埋込み層６の孔Ｈ１に露出する面７がピコ秒〜フェムト秒パルスレーザ光に荒らされ、不規則な凹凸２２が面７の全面に形成される。例文帳に追加

The surface exposed to the hole H1 of the n^+ embedded layer 6 of the insulating layer 4 is irradiated with picosecond to femtosecond pulse laser beam, whereby the insulating layer 4 is removed, and the surface 7 exposed to the hole H1 of the n^+ embedded layer 6 is also roughed by the pulse laser beam to form the irregular part 22 entirely over the surface 7. - 特許庁

この空間分布パルス列変換装置２０により、入射するフェムト秒レーザーパルス又はピコ秒レーザーパルスのパルスレーザーを、境界線２３を跨ぐ反射面２２ａ，２２ｂでの反射により段差間隔に比例する時間差で空間的に分布した複数のパルスレーザー光からなる空間分布パルス列レーザー光３に変換する。例文帳に追加

The spatially distributed pulse train converting device 20 converts pulsed laser light of incident femtosecond laser pulses or picosecond laser pulses into spatially distributed pulse train laser light 3 composed of a plurality of spatially distributed pulse laser lights with time differences proportional to level difference intervals through reflection by the reflecting surfaces 22a, 22b across the boundary line 23. - 特許庁

エッチング技術により、特にウェットエッチングによって水晶ウェハに形成される水晶片に生じたエッチング残りをパルスレーザであるピコ秒レーザによって除去する。例文帳に追加

An etching residue produced on a crystal piece formed in a crystal wafer by an etching technique, in particular, wet etching is removed by picosecond laser being a pulse laser. - 特許庁

１パルス当たりのパルス幅がピコ秒以下のオーダの幅であるパルスレーザ光を、ノイズ光を抑えつつ周波数変換しうる構成を提供する。例文帳に追加

To provide a configuration capable of frequency-converting a pulse laser beam in which the pulse width per pulse is in a range not more than a picosecond, while suppressing noise light. - 特許庁

多数の素子２を形成した半導体ウェーハ１をｘ−ｙテーブル４に吸着保持して、前記各素子２，２間のスクライブラインに沿って、パルス幅が１ピコ秒以下の超短パルスレーザ７を照射して切断する。例文帳に追加

The semiconductor wafer 1 where many elements 2 are formed is suctionally held on an x-y table 4 and irradiated with very short pulse laser light 7 whose pulse width is ≤1 picosecond along scribe lines between the elements 2 and 2, thereby cutting the wafer. - 特許庁

導体薄膜２の除去に用いるレーザとして、パルス幅がピコ秒以下の超短領域に設定された高強度超短パルスレーザ光を用いる。例文帳に追加

High intensity ultra short pulse laser light whose pulse width is set up to an ultra short area ≤pico-second is used as laser light to be used for the removal of the thin film 2. - 特許庁

パルス幅が１ピコ秒乃至１００ナノ秒の超短パルスレーザをレーザ発振器１１より石英１の切断面２に照射し、複数のレーザ照射痕を前記切断面の全面に亘って作ることにより石英を分断する。例文帳に追加

The quartz is cut by irradiating a cut area 2 of the quartz 1 with the ultrashort pulse laser having a pulse width of 1 picosecond to 100 nanosecond from a laser oscillator 11 and making a plurality of laser irradiation marks over the entire surface of the cut area. - 特許庁