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英訳・英語 fado
「ファド」を含む例文一覧
該当件数 : 10件
彼女はあの哀愁を帯びたファドが好きだ。例文帳に追加
She is fond of that melancholy fado.発音を聞く - Weblio英語基本例文集
単一のバッファドライバによって水平シフトレジスタの各転送段とスイッチ群の各スイッチとに水平クロックを与えるようにした場合、バッファドライバから見た負荷容量が大きくなるため、バッファドライバのサイズを大きく設計せざるを得なく、よって発熱の問題が発生する。例文帳に追加
To provide a liquid crystal display device whose reliability is enhanced by suppressing the generation of heat of buffer drivers. - 特許庁
二千十二年七月五日にファドーツで、英語により本書二通を作成した。例文帳に追加
DONE in duplicate at Vaduz this fifth day of July,2012, in the English language発音を聞く - 財務省
入力軸８下方に配設した中空のカウンター軸２０の後端にはトランスファドライブギヤ２３を設け、カウンター軸２０内を挿通したフロントドライブ軸２０の後端にはリダクションドリブンギヤ２４を設け、トランスファドライブギヤ２３とリダクションドリブンギヤ２４は、中間出力軸２１に一体に形成したトランスファドリブンギヤ２５、リダクションドライブギヤ２６と噛合される。例文帳に追加
A transfer drive gear 23 is provided at a rear end of a hollow countershaft 20 arranged below an input shaft 8, a reduction driven gear 24 is provided at a rear end of a front drive shaft 20 inserted into the countershaft 20, and the transfer drive gear 23 and the reduction driven gear 24 are meshed with a transfer driven gear 25 and a reduction drive gear 26 formed integrally on an intermediate output shaft 21. - 特許庁
半導体基板１上に形成したエピタキシャル層２にＰＢＬ法（ポリシリコンバッファドＬＯＣＯＳ法）でフィールド酸化膜３を形成する。例文帳に追加
A field oxide film 3 is formed by a PBL method (polysilicon buffered LOCOS method) on an epitaxial layer 2 formed on a semiconductor substrate 1. - 特許庁
fbdevドライバは現在使われているビデオモードをフレームバッファドライバからピックアップでき、ビデオモードが設定されていなければこの値を使用する。例文帳に追加
The fbdev driver can pick up the currently used video mode from the framebuffer driver and will use it if there are no video modes configured. - XFree86
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「ファド」を含む例文一覧
該当件数 : 10件
江華島事件（こうかとうじけん、カンファドじけん）は、1875年（明治8年）9月20日に李氏朝鮮の江華島付近において日本と朝鮮の間で起こった武力衝突事件である。例文帳に追加
The Ganghwa Island incident is an armed conflict between Japan and Korea which occurred in the vicinity of Ganghwa Island, Joseon Dynasty on September 20, 1875.発音を聞く - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
界面活性剤が添加されたバッファドＨＦ液で酸化膜エッチングを行う時、シリコン基板に局所的なシリコンの削れ（ピット）が生じない半導体集積回路装置の製造技術を提供する。例文帳に追加
To provide a technology for manufacturing a semiconductor integrated circuit device for preventing generation of local silicon deletion(pit) in a silicon substrate at the time of oxide film etching by buffered HF liquid added with surface active agent. - 特許庁
特にアロマターゼ阻害剤としては、アミノグルテチミド；フォルメスタン；アタメスタン；アナスタゾール；ファドロゾール；フィンロゾール；レトロゾール；ボロゾール；4-[N-(4-ブロモベンジル)-N-(4-シアノフェニル)アミノ]-4H-1,2,4-トリアゾール又はエキセメスタン又はその薬学的に許容し得る塩から選択される。例文帳に追加
Particularly, the aromatase is selected from aminoglutethimide, formestane, atamestane, anastrozole, fadrozole, finrozole, letrozole, vorozole, 4-[N-(4-bromobenzyl)-N-(4-cyanophenyl)amino]-4H-1,2,4-triazole, exemestane, and pharmaceutically acceptable salts thereof. - 特許庁
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