ヘテロ構造電界効果トランジスタの英語

リセス構造を有する III族窒化物系ヘテロ接合電界効果トランジスタ（ＨＦＥＴ）を形成する。例文帳に追加

To form a III nitride heterojunction field-effect transistor (HFET) having a recess structure. - 特許庁

ヘテロ構造を含む電界効果型トランジスタでありながらノーマリオフタイプのトランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide a normally-off transistor, while being a field-effect transistor that includes a heterostructure. - 特許庁

ヘテロ構造を含む電界効果型トランジスタでありながらノーマルオフタイプのトランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide a normal-off type transistor, while being a field-effect transistor including a hetero structure. - 特許庁

ヘテロ構造ナノワイアを有するトンネル電界効果トランジスタと集積されたナノワイアを有する相補型トンネル電界効果トランジスタの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a tunnel field-effect transistor having a heterostructure nanowire and a complementary tunnel field-effect transistor having an accumulated nanowire. - 特許庁

窒化ガリウム系へテロ接合電界効果型トランジスタにおいて、バリアーの構造を改善し、ゲート電流を低減して、移動度を高め、トランジスタ性能の向上を図った構造のヘテロ接合電界効果型トランジスタおよびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a gallium nitride system hetero-junction field effect transistor in which the structure of a barrier is improved, gate currents are reduced, mobility is improved, and transistor performance is improved, and to provide a method for manufacturing it. - 特許庁

窒化物半導体からなるチャネル層とバリア層のヘテロ接合構造を有する電界効果トランジスタにおいて、ｐ型ＩｎＧａＮ層が、ゲート領域のバリア層に積層された層構造を有することを特徴とするヘテロ接合構造を有する電界効果トランジスタ。例文帳に追加

The field effect transistor has a hetero-junction structure of a channel layer and a barrier layer made of nitride semiconductor, wherein a p-type InGaN layer is stacked on the barrier layer in a gate area. - 特許庁

チャネル層をＩｎＡｓから構成するヘテロ構造の電界効果トランジスタで、高速で安定した動作ができるようにする。例文帳に追加

To enable a field effect transistor having a heterostructure constituting a channel layer from InAs to be stably operated at a high speed. - 特許庁

薄い障壁層を有し、高い電子濃度を高電子移動度を損ねることなく実現するヘテロ構造電界効果トランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide a heterostructure field-effect transistor which comprises a thin barrier wall and whose high electron concentration is realized without spoiling high electron mobility. - 特許庁