ホイスラ磁性合金の英語

ホイスラー合金層によって形成されたフリー磁性層１６を、ｆｃｃ層に相当する非磁性材料層の上に積層する。例文帳に追加

In the magnetic detecting element, a free magnetic layer 16 formed of a Heuslar alloy layer is laminated upon a nonmagnetic material layer corresponding to a face-centered cubic layer (fcc) layer. - 特許庁

絶縁体層１２上にはフルホイスラー合金層１３が形成され、フルホイスラー合金層１３上には、面心立方格子構造を有する強磁性体層１４が形成されている。例文帳に追加

A full Heusler alloy layer 13 is formed on the insulating layer 12 and a ferromagnetic layer 14, having face-centered cubic lattice structure, is formed on the full Heusler alloy layer 13. - 特許庁

ＭＲ素子５の固定層２３は、体心立方構造の磁性合金層よりなる下地磁性層３３１と、下地磁性層３３１の上に形成されたホイスラー合金層３３２とを含んでいる。例文帳に追加

The fixing layer 23 of the MR element 5 includes: a front-end magnetic layer 331 composed of a magnetic alloy layer with a body-centered cubic structure, and a Heusler alloy layer 332 formed on the front-end magnetic layer 331. - 特許庁

ＭＲ素子５のフリー層２５は、体心立方構造の磁性合金層よりなる下地磁性層５１と、下地磁性層５１の上に形成されたホイスラー合金層５２とを含んでいる。例文帳に追加

The free layer 25 of the MR element 5 includes: a front-end magnetic layer 51 composed of the magnetic alloy layer with the body-centered cubic structure, and a Heusler alloy layer 52 formed on the front-end magnetic layer 51. - 特許庁

少なくとも一方の強磁性体にスピン分極率がほぼ１００％のフルホイスラー合金を具えるトンネル磁気抵抗効果素子を提供する。例文帳に追加

To provide a tunnel magnetoresistive element in which at least one ferromagnetic body comprises a full Heusler alloy having spin polarizability of 100%. - 特許庁

Ｎｉ−Ｃｏ−Ｇａ系またはＣｏ−Ｎｉ−Ｇａ系ホイスラー型磁性形状記憶合金およびその製造方法例文帳に追加

Ni-Co-Ga OR Co-Ni-Ga HEUSLER-TYPE MAGNETIC SHAPE MEMORY ALLOY AND MANUFACTURING METHOD - 特許庁

半導体基板１０上に形成されたフルホイスラー合金層１３と、フルホイスラー合金層１３上に形成された、面心立方格子構造を有する強磁性体層１４と、強磁性体層１４上に形成された非磁性層１５と、非磁性層１５上に形成された強磁性体層１６とを含む構造をソース及びドレインのうち少なくとも一つに備える。例文帳に追加

The spin MOS field effect transistor includes, at least one of a source and a drain, a structure including a full Heusler alloy layer 13 formed on a semiconductor substrate 10, a ferromagnetic layer 14 formed on the full Heusler alloy layer 13 and having a face-centered cubic lattice structure, a nonmagnetic layer 15 formed on the ferromagnetic layer 14, and a ferromagnetic layer 16 formed on the nonmagnetic layer 15. - 特許庁

第１の強磁性体と、第２の強磁性体と、これら強磁性体間に挟まれて存在する絶縁体とを具え、強磁性体の少なくとも一方は、基材上に(100)面にエピタキシャル成長したフルホイスラー合金の単結晶を有し、フルホイスラー合金と絶縁体との間に薄いＭｇ層を具えている。例文帳に追加

The tunnel magnetoresistive element comprises a first ferromagnetic body, a second ferromagnetic body, and an insulator sandwiched between these ferromagnetic bodies wherein at least one ferromagnetic body has a single crystal of full Heusler alloy grown epitaxially on the (100) face of a base material and a thin Mg layer is provided between the full Heusler alloy and the insulator. - 特許庁