マンガン酸化物薄膜の英語

ペロブスカイトマンガン酸化物薄膜及び該薄膜を備えてなるスイッチング素子、並びに該薄膜の製造方法例文帳に追加

PEROVSKITE MANGANESE OXIDE THIN FILM, SWITCHING ELEMENT HAVING THE SAME, AND METHOD FOR PRODUCING THE THIN FILM - 特許庁

ペロブスカイト型マンガン酸化物薄膜、その製造方法及びそれを用いた赤外線検出素子例文帳に追加

THIN PEROVSKITE TYPE MANGANESE OXIDE FILM, ITS PRODUCTION AND INFRARED RAY SENSING ELEMENT USING THE SAME - 特許庁

バルク単結晶に匹敵するスイッチング特性を多結晶薄膜で得られる、電荷軌道整列ペロブスカイトマンガン酸化物薄膜及び該薄膜を備えてなるスイッチング素子、並びに該薄膜の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a charge-orbital alignment perovskite manganese oxide thin film with which switching characteristic equal to that of a bulk single crystal can be obtained by a polycrystalline thin film; and to provide a switching element having the same and a method for producing the thin film. - 特許庁

ＣａまたはＳｒ元素およびＬａ，Ｍｎ，Ｏの元素を含むペロブスカイト型マンガン酸化物薄膜において、電子冷却温度範囲内に金属−絶縁体相転移温度が存在することを特徴とし、さらに、前記薄膜がゾルーゲル法にて作製されたペロブスカイト型マンガン酸化物薄膜であることを特徴とし、前記薄膜を用いて、赤外線検出素子を提供することを特徴とする。例文帳に追加

In the thin perovskite type manganese oxide film contg. the element Ca or Sr and the elements La, Mn and O, a metal-insulator phase transition temp. is present in an electronic cooling temp. range, The film is formed by a sol-gel process. - 特許庁

本発明のリチウム電池用正極３は、気相成長法による薄膜を主構成部とし、該薄膜が、リチウムおよびマンガンを含む複合酸化物と、カーボンとを備えることを特徴とする。例文帳に追加

The positive electrode 3 for the lithium battery includes a thin film by a vapor deposition method as the main constituting part, and the thin film includes a complex oxide containing lithium and manganese, and carbon. - 特許庁

支持基板１５上に形成されたＭｎＯ_３を母体とするマンガン酸化物からなるマンガン酸化物薄膜１０を光学体とし、その上面１１を光の入射面及び出射面として反射型の光学素子１Ａを構成する。例文帳に追加

The optical element 1A is so constituted that manganese oxide thin film 10 formed on a substrate 15 and consisting of a manganese oxide having MnO_3 as a parent body is made to be the optical body and the upper surface 11 thereof is made to be an incident and emission surface of light. - 特許庁

本発明のリチウムイオン二次電池は、負極が表面に金属化合物薄膜を被覆してなる負極材料を有し、且つ正極が部分置換型スピネルマンガン酸化物の正極材料を有する。例文帳に追加

In this lithium-ion secondary battery, the anode has an anode material in which a metal compound thin film is covered on the surface, while the cathode has a cathode material of spinel manganese oxide of partially substituted type. - 特許庁