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ミニバンドの英語

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英訳・英語 mini-band


JST科学技術用語日英対訳辞書での「ミニバンド」の英訳

ミニバンド


「ミニバンド」を含む例文一覧

該当件数 : 13



例文

ミニバンドを有する半導体素子例文帳に追加

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING MINIBAND - 特許庁

また、発光遷移を経た電子は、LOフォノン散乱によって下準位L_lowからミニバンドMBへと緩和され、ミニバンドMBを介して後段の発光層へと注入される。例文帳に追加

Further, electrons transited among the subbands are relaxed from the lower level L_low to the miniband MB by LO phonon scattering and injected into the subsequent light-emitting layer through the miniband MB. - 特許庁

活性層15、25のそれぞれは、その準位構造において、発光上準位と、発光下準位と、緩和ミニバンドとを有し、上準位から下準位への発光遷移を経た電子が、LOフォノン散乱によって下準位からミニバンドへと緩和されるように構成される。例文帳に追加

Each of the active layers 15, 25 includes a light emission upper level, a light emission lower level and a relaxation mini-band in its level structure; and is structured such that electrons having passed through light emission transition from the upper level to the lower level are relaxed from the lower level to the mini-band by LO phonon scattering. - 特許庁

ほぼ平坦なミニバンドを備えるのみならず、ほぼ空間的に対称な波動関数を備え、印加電界、所望の動作波長、波動関数の形状、および、ミニバンド内の残りの状態のエネルギー位置の独立制御が可能なISB(サブバンド間)SL(超格子)エミッタを実現する。例文帳に追加

To provide an ISB(inter-subband) SL(superlattice) emitter which comprises an almost flat mini band as well as a wave function which is spatially symmetric, and permits independent control of an applied electric field, derred operating wavelength, shape of the wave function, and energy position of the remaining state the mini band. - 特許庁

前記接合層130によって形成されるミニバンドの下端と前記導波路層140のフェルミ準位とのエネルギー差が、前記活性層120によって形成されるミニバンドの下端と前記導波路層140のフェルミ準位とのエネルギー差に比べて小さくなるように、前記接合層130の積層構造は設計されている。例文帳に追加

The lamination structure of the bonding layer 130 is designed so that a difference in energy between the lower end of mini band formed by the bonding layer 130 and the Fermi level of the waveguide layer 140 may be smaller than that between the lower end of mini band formed by the active layer 120 and the Fermi level of the waveguide layer 140. - 特許庁

第1および第2半導体の積層パターンを有する超格子領域13内にミニバンド18を形成することによって活性領域2へのキャリヤの移動が向上する半導体素子が提供される。例文帳に追加

A semiconductor element where, movement of carriers into an active region 2 is improved by forming a mini band 18 inside a superlattice region 13 having laminated patterns of a first and second semiconductors. - 特許庁

例文

ミニバンド18の最小エネルギー準位21は、活性領域2と超格子領域13との間のガイド領域3のエネルギー準位に等しいかまたはこれより大きい。例文帳に追加

The minimum energy level 21 of the mini band 18 is equal to or greater than the energy level of a guiding region 3 between the active region 2 and the superlattice region 13. - 特許庁

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日英・英日専門用語辞書での「ミニバンド」の英訳

ミニバンド


クロスランゲージ 37分野専門語辞書での「ミニバンド」の英訳

ミニバンド


「ミニバンド」を含む例文一覧

該当件数 : 13



例文

これに対して、隣り合うSPQWは、ミニバンドが各RT領域を横切って生成されるような厚さを有する別の障壁層によって互いに結合する。例文帳に追加

On the contrary, the adjoining SPQWs are jointed each other by another barrier layer of such thickness as the mini band is generated across the RT regions. - 特許庁

単位積層体16は、そのサブバンド準位構造において、発光上準位L_upと、発光下準位L_lowと、緩和ミニバンドMとを有する。例文帳に追加

Each of the unit stacks 16 has a light emission upper level L_UP, a light emission lower level L_low, and a relaxation miniband in its sub-band level structure. - 特許庁

単位積層体16のサブバンド準位構造は、発光上準位L_upと、発光下準位L_lowと、緩和ミニバンドMBとを有し、上準位から下準位への電子のサブバンド間遷移によって光が生成される。例文帳に追加

A subband level structure of the unit laminate 16 includes an upper emission level L_up, a lower emission level L_low and relaxation miniband MB and light is generated by transition of electrons from the upper level to the lower level, between subbands. - 特許庁

ここで、SPQWとは、上側および下側のエネルギー状態がそれらの自然幅を超えて分離して各RT領域で相異なるミニバンドに寄与するほどに十分に薄い少なくとも1つの障壁層によって、複数のサブ井戸に分割された量子井戸をいう。例文帳に追加

Here, the SPQW is a quantum well which is divided into a plurality of sub-wells by at least one barrier layer which is so thin that the energy state on upper side and lower side is separated over its natural width, to contribute to different mini bands in respective RT regions. - 特許庁

障壁層21と量子井戸層22の各材料と各厚さを、電子が障壁層21をトンネル効果により通過可能であり、Γミニバンド中に障壁層21のX準位が存在して障壁層21のX準位と量子井戸層22のΓ準位とが共鳴状態となるように選択設定される。例文帳に追加

Each material and each thickness of the barrier layer 21 and the quantum well layer 22 is selectively set so that electrons can pass through the barrier layer 21 by a tunnel effect, and that the X level of the barrier layer 21 which is present in a Γ mini-band and the Γlevel of the quantum well layer 22 can be turned into a resonating state. - 特許庁

例文

第1の多重量子井戸の伝導帯に含まれるミニバンド内を透過したキャリアが、第1の多重量子井戸よりも下位側に配設された第2の多重量子井戸の障壁層のエネルギー準位よりも高いエネルギー準位にあるミニギャップ13に衝突し、第2の多重量子井戸の伝導帯に含まれるミニギャップに遷移して発光する。例文帳に追加

A carrier passing through a miniband included in a conductive band of a first multiquantum well comes into collision with a minigap 13 having an energy level higher than that of a barrier layer of a second multiquantum well arranged at the side lower than the first multiquantum well to transit to the minigap included in the conductive band of the second multiquantum well for light emission. - 特許庁

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「ミニバンド」の英訳に関連した単語・英語表現

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