モノシリの英語

前記モノシリルエーテル化合物は、プライマー組成物全量中、０．００５〜０．５質量％含有されていることが好ましい。例文帳に追加

The content of the compound is preferably 0.005-0.5 mass% to the total amount of the composition. - 特許庁

このＤＭＤにおいては、シリコン基板１０の主面に１セル分のアドレス回路としてＳＲＡＭ１２がモノシリックに形成されるとともに、このＳＲＡＭ１２の上に酸化膜１４を介して三層の金属たとえばアルミニウムからなる１セル分の反射型ディジタル光スイッチまたは光変調素子１６がモノシリックに形成されている。例文帳に追加

In this DMD(digital micromirror device), an SRAM(static random access memory) 12 is monolithically formed on the principal surface of a silicon substrate 10 as an address circuit for one cell, and a reflection type digital optical switch or an optical modulation element 16 for one cell made of a metal with three layers such as aluminum is monolithically formed on the SRAM12 through an oxide film 14. - 特許庁

このシリサイド層の形成方法により、半導体素子の例えばＭＩＳＦＥＴのソース／ドレイン拡散層あるいはゲート電極上にイリジウム含有のニッケルモノシリサイド層を形成し上記課題を解決する。例文帳に追加

With the forming method of the silicide layer, the nickel monosilicide layer containing iridium is formed on a source/drain diffusion layer or a gate electrode of a MISFET for example of a semiconductor apparatus. - 特許庁

モノシリックレーザーアレイ１０からの複数のレーザービームを平行光に変換するコリメータレンズ群１１が光軸方向にのみ平行移動自在となるように、マルチビーム走査装置を構成する。例文帳に追加

The multi-beam scanner is so constituted that a collimator lens group 11 which converts a plurality of laser beams from a monolithic laser array 10 into parallel lights can freely move in parallel only along the optical axis. - 特許庁

ニッケルモノシリサイド層の熱安定性を向上させ、例えば６５ｎｍ〜４５ｎｍノードにおける実用レベルの半導体装置の製造を可能にする。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor apparatus of a practical level at 65nm to 45nm node for example where thermal stability of a nickel monosilicide layer is improved. - 特許庁

２波長モノシリック半導体レーザに適する、出射効率がよく、保護膜として高い信頼性を有する反射側端面コート膜構造を備えた半導体レーザ素子を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser device having a reflection-side end surface coat film structure which is suitable to a two-wavelength monolithic semiconductor laser, and also has good projection efficiency and high reliability as a protection film. - 特許庁

バリア膜１３は半導体基板１に引張応力を生じさせる膜であり、第１の熱処理では、金属膜１２を構成する金属元素ＭのモノシリサイドＭＳｉからなる金属シリサイド層が形成される。例文帳に追加

The barrier film 13 is a film for generating a tensile stress in the semiconductor substrate 1 and the metal silicide layer, consisting of a mono silicide MSi of a metal element M constituting the metal film 12 is formed upon the first heat treatment. - 特許庁

本明細書で開示されるのは、ロータ（３０）と、ステータ（４０）と、少なくとも１つの継手及びモノシリック・セラミックセパレータ（１１０）を有するシール組立体（１００）と、を備えるモータ２０を含むシステム（１０）である。例文帳に追加

A system (10) includes a motor (20) including a rotor (30), a stator (40), and a sealing assembly (100) having at least one joint and a monolithic ceramic separator (110). - 特許庁