モノレイヤの英語

第１素子と、第２素子と、前記第１素子の上に第２素子が形成されるのを阻止するモノレイヤと を有し、前記モノレイヤの長さ分だけ第１素子と第２素子が離間していることを特徴とする装置。例文帳に追加

The device comprises a first element, a second element, and a monolayer for blocking formation of the second element on the first element wherein the first and second elements are spaced apart by the length of the monolayer. - 特許庁

アモルファスＳｉＧｅ層６００が、トリシラン及びＧｅＨ_４からＣＶＤによって、ドーパントの１以下のモノレイヤー上に堆積される。例文帳に追加

Amorphous SiGe layers 600 are deposited on at least one monolayer of a dopant by CVD from trisilane and GeH_4. - 特許庁

ＭＭＯ１触媒の性能は、蒸着によるその表面上へのＴｅのサブモノレイヤー堆積によって改善される。例文帳に追加

The performance of the MMO1 catalyst is improved by a Te-submonolayer deposition onto its surface by vapor deposition. - 特許庁

量子ドット６１１は、１．８〜２．４モノレイヤーのＩｎ_ｙＡｌ_１−ｙＡｓを結晶成長することにより形成される。例文帳に追加

The quantum dot 611 is formed by crystal growing on In_yAl_1-yAs of 1.8-2.4 monolayers. - 特許庁

InAsの十分なモノレイヤ等価厚みが前記InGaAs上に成長させられることによって、自己組織化島が形成される。例文帳に追加

A sufficient monolayer thickness of InAs is grown on the InGaAs, to form self-assembled islands. - 特許庁

一方、拡散防止層３１は、結晶成長を用いて形成する場合とは異なり、数モノレイヤの薄さで一様に形成されるので、拡散防止層３１自体が電流リークパスとなることも抑制される。例文帳に追加

Meanwhile, unlike the case of formation using the crystal growth, since the diffusion protection layer 31 is formed uniformly with a small thickness of several monolayers, the diffusion protection layer 31 is also inhibited from becoming a current leakage path. - 特許庁

本願に係る半導体量子ドット形成方法は、自己組織化機構により半導体量子ドットを形成する方法において、量子ドットＤの結晶成長レート及び／もしくは埋め込み層Ｌ４の結晶成長速度として１ＭＬ／ｓ（モノレイヤー・パー・セカンド）以上によって層形成させる。例文帳に追加

The method of forming the semiconductor quantum dot forms the semiconductor quantum dot by a self-organizing mechanism, wherein a layer is formed at ≥1 ML/s (monolayer per second) as a crystal growing rate of the quantum dot D and/or a crystal growing speed of a buried layer L4. - 特許庁