ワイドギャップ半導体の英語

新規な構成を有するp型ワイドギャップ半導体を提供する。例文帳に追加

To provide a p-type wide gap semiconductor having a new structure. - 特許庁

ワイドギャップ半導体チップの鉛フリー半田付け方法例文帳に追加

LEAD-FREE SOLDERING METHOD OF WIDE-GAP SEMICONDUCTOR CHIP - 特許庁

高耐圧ワイドギャップ半導体装置及び電力装置例文帳に追加

HIGH-BREAKDOWN WIDE BAND GAP SEMICONDUCTOR DEVICE OF AND POWER DEVICE - 特許庁

コンバータをワイドギャップ半導体素子、特にワイドギャップバイポーラ半導体素子で構成し、ワイドギャップバイポーラ半導体素子の瞬時大電力稼働能力と２次電池の瞬時大電力供給能力を活用する。例文帳に追加

The converter comprises a wide-gap semiconductor device, particularly a side gap bipolar semiconductor device, and the instantaneous large power operation capability of the wide gap bipolar semiconductor device and the instantaneous large power supply capability of the secondary battery are utilized. - 特許庁

１５０℃以上の高温で使用するＳｉＣなどのワイドギャップ半導体装置において、ワイドギャップ半導体素子の絶縁性を改善し、高耐電圧のワイドギャップ半導体装置を得る。例文帳に追加

To obtain a wide-gap semiconductor device of high dielectric strength, by improving insulating properties of a wide-gap semiconductor element in the wide-gap semiconductor device, such as SiC, which is used at a high temperature of ≥ 150°C. - 特許庁

ワイドギャップ半導体チップの電極構造において鉛フリー半田を用いた半田付けを行った場合の接合状態を良好なものとできる、ワイドギャップ半導体チップの鉛フリー半田付け方法、および鉛フリー半田付けによるワイドギャップ半導体チップを提供する。例文帳に追加

To provide a lead-free soldering method of a wide-gap semiconductor chip, which can achieve a satisfactory junction state in soldering using lead-free solder in the electrode structure of the wide-gap semiconductor chip, and to provide the wide-gap semiconductor chip by the lead-free soldering. - 特許庁

ワイドギャップの半導体構造に基づく負の電子親和力を備えた注入冷陰極例文帳に追加

INJECTING COLD CATHODE HAVING NEGATIVE ELECTRON AFFINITY BASED ON WIDE GAP SEMICONDUCTOR STRUCTURE - 特許庁

金属膜７上に、ｎ型ワイドギャップ半導体層を含むダイオード素子１３を備える。例文帳に追加

On the metal film 7, a diode element 13 including an n-type wide gap semiconductor layer is provided. - 特許庁