一回焼成の英語

六方晶窒化ホウ素粉を含む一軸加圧成形体に、第１と第２の少なくとも２回の冷間等方圧加圧処理を増圧して行った後、焼成することを特徴とする窒化ホウ素焼成体の製造方法。例文帳に追加

In the method for producing a boron nitride fired compact, a uniaxially pressed body comprising hexagonal boron nitride powder is subjected to at least first and second two cold isostatic pressing treatments in such a manner that pressure is increased, and thereafter, firing is performed. - 特許庁

各温度センサー５１，５２，５３，５４を巡回することで得られた各焼成部の温度情報は、同一の温度調節器７で処理するようにしてある。例文帳に追加

The temperature data of respective baking parts which are obtained by circulating the temperatures sensors 51 to 54 are processed by the same temperature controller 7. - 特許庁

成形体間に敷き粉を用いず、複数の成形体を重ねたまま一度に焼成することのできる回路基板の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a circuit board capable of simultaneously baking a plurality of moldings while the moldings remain superposed without using a spreading powder between the moldings. - 特許庁

回転炉からの焼成材料排出流を冷却機の上流でより均一にするための方法または装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method and a device for equalizing the discharge flow of the baking material from a rotary kiln at a point more upstream of a cooler. - 特許庁

第一の厚膜回路基板は、導体層３が７５０℃以下で焼成された銅系の導体よりなり、導通部２が銀系の導体よりなる。例文帳に追加

A 1st thin-film circuit board is made of a copper-based conductor whose conductor layer 3 is burnt below 750°C and a conduction part 2 is made of a silver-based conductor. - 特許庁

ガラス塗布、仮焼成、ガラス焼成工程からなる一連の工程を連続して２回行なうドクターブレード法を適用することにより、ガラスパシベーション膜の厚さが４０μｍ以上となるようにした半導体素子の製造方法である。例文帳に追加

This method for manufacturing a semiconductor element is provided to apply a doctor blade method for continuously executing a series of processes constituted of glass coating, temporarily firing, and glass firing processes two times so that the thickness of a glass passivation film can be set so as to be 40 μm or more. - 特許庁

この加熱空間２２を貫通して耐熱性筒体４が回転可能に設けられ、その耐熱性筒体４の一端部を被焼成粉体の送入部４１とし、他端部を排出部４２とし、加熱空間２２と被焼成粉体の通過空間４３とを区画した。例文帳に追加

A refractory cylinder 4 passing through the heating space 22 is rotatably arranged, one end of the refractory cylinder 4 is applied as a feeding part 41 for the baked items, and the other end of the refractory cylinder 4 is applied as a discharging part 42 so as to define the heating space 22 and a passing space 43 for the baked powder. - 特許庁

焼成によりフェライト／セラミック複合基板を作成する時に材料や焼成条件等のバラツキに起因する基板の収縮率のバラツキによるフェライト円板と回路パターンの位置ずれを抑制し、また回路パターンの膜厚の不均一や膜はがれ等を防止して性能の向上を図る。例文帳に追加

To improve performance by suppressing misalignment between a ferrite disc and a circuit pattern due to the variations of the contraction coefficient of a ferrite/ceramic composite substrate due to the variations of materials or burning conditions or the like in fabricating the ferrite/ceramic composite substrate by burning, and preventing the non-uniformity of the film thickness or the film peeling of the circuit pattern. - 特許庁