三臭化ほう素の英語

本発明にかかる半導体装置の製造方法は、塩化ニトロシル、塩化ニトロイルまたは臭化ニトロシルのいずれかをエッチングガスとして用いたうえで、あるいはまた、一酸化窒素、一酸化二窒素、二酸化窒素、三酸化窒素、三酸化二窒素、四酸化二窒素、五酸化二窒素またはフッ化ニトロシルのいずれかを添加含有させてなる塩素系または臭素系のエッチングガスを用いたうえでポリシリコンまたはシリコンをエッチングすることを特徴としている。例文帳に追加

The manufacturing method of a semiconductor device is to etch a polysilicon or silicon using either one out of nitrosyl chloride, nitrile chloride or nitrosyl bromide or using chlorine or bromic base etching gas additionally containing either one out of nitrogen oxide, dinitrogen oxide, nitrogen dioxide, nitrogen trioxide, dinitrogen trioxide, dinitrogen tetroxide, dinitrogen pentoxide. - 特許庁

ＴＶ筐体廃棄物から臭素とアンチモンを有効的に回収、分別し、三酸化二アンチモンと処理した樹脂を固形化燃料として利用できうる方法を提供することである。例文帳に追加

To provide a method for effectively recover and fractionate bromine and antimony from a TV housing waste material to make it possible to utilize diantimony trioxide and a treated resin as solidified fuel. - 特許庁

芳香族炭化水素をコバルト化合物、第三級アミン、臭素化合物、およびマンガン、銅またはセリウムから選ばれる少なくとも一種の重金属化合物で構成される触媒の存在下、分子状酸素含有ガスで液相酸化反応を行う。例文帳に追加

The production method comprises carrying out liquid-phase oxidation reaction of an aromatic hydrocarbon with molecular oxygen-containing gas in the presence of a catalyst composed of a cobalt compound, a tertiary amine, a bromine compound and a compound of a heavy metal of at least one kind selected from manganese, copper and cerium. - 特許庁

O-シリルグリコシドをα,α-ジハロメチルアルキルエーテルと、シリルグリコシドに関して、塩化亜鉛、臭化亜鉛および三フッ化ホウ素からなる群より選択される要素のおよそ化学量論的量またはそれを超える量の存在下で反応させる段階を含む、グリコシルハライドの製造方法。例文帳に追加

A method for producing a glycosyl halide is provided which comprises the step of reacting an O-silyl glycoside with an α, α-dihalomethyl alkyl ether in the presence of an about stoichiometric or excess amount, in relation to the silyl glycoside, of an element selected from the group consisting of zinc chloride, zinc bromide, and boron trifluoride. - 特許庁

溶媒の存在下に、一般式（１） （式中、Ｒ^1、Ｒ^2、Ｒ^3およびＬは、それぞれ上記と同一の意味を表わす。）で示される化合物を三臭化ホウ素に加えて反応させ、次いで反応液を水またはアルコールで処理する。例文帳に追加

The method comprises adding the compound expressed by general formula (1) (wherein, R^1, R^2, R^3 and L are each same as defined in the formula (2)) to boron tribromide and allowing them to react in the presence of solvent, and subsequently treating the reaction solution with water or an alcohol. - 特許庁

高純度が要求される三フッ化窒素、窒素、酸素、アルゴン、六フッ化硫黄、無水塩酸、無水臭化水素、四フッ化炭素及び六フッ化エタンなどの低温液化ガスを、純度の変質を起こすことなく少ないエネルギーを用いて簡単な工程によって、高圧ガス容器へ充填することが可能な、低温液化ガスの充填方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a filling method of low-temperature liquefied gas for filling low-temperature liquefied gas such as nitrogen trifluoride, nitrogen, oxygen, argon, sulfur hexafluoride, anhydrous hydrogen chloride, anhydrous hydrogen bromide, carbon tetrafluoride, and ethane haxafluoride requiring high purity into a high pressure gas container by a simple process using little amount of energy without altering the purity. - 特許庁

高純度が要求される三フッ化窒素、窒素、酸素、アルゴン、六フッ化硫黄、無水塩酸、無水臭化水素、四フッ化炭素及び六フッ化エタンなどの低温の液化ガスを、変質を起こすことなく、少ないエネルギーを用いて簡単な工程によって高圧ガス容器への充填可能な、低温液化ガスの充填方法の提供。例文帳に追加

To provide a method of charging a low temperature liquefied gas capable of charging a low temperature liquefied gas which is to be made highly pure, such as nitrogen tetrafluoride, nitrogen, oxygen, argon, sulfur hexafluoride, anhydrous hydrogen chloride, anhydrous hydrogen bromide, carbon tetrafluoride and ethane hexafluoride by a simple process in which the liquefied gas does not deteriorate and small energy is consumed. - 特許庁

例えば、p-トリル-ビス（6-メトキシ-2-ナフチル）アミンを三臭化ホウ素の存在下に脱メチル化してp-トリル-ビス（6-ヒドロキシ-2-ナフチル）アミンを合成し、これを製造中間体に用いて塩化アクリロイルとトリエチルアミンの存在下に反応させてp-トリル-ビス（6-アクリロキシ-2-ナフチル）アミンを製造する。例文帳に追加

For example, p-tolyl-bis(6-methoxy-2-naphthyl)amine is demethylated in the presence of boron tribromide to synthesize p-tolyl-bis(6-hydroxy-3-naphthyl)amine, which is used as a production intermediate and reacted with acryloyl chloride in the presence of triethylamine to produce p-tolyl-bis(6-acryloxy-2-naphthyl)amine. - 特許庁