三臭化窒素の英語

本発明にかかる半導体装置の製造方法は、塩化ニトロシル、塩化ニトロイルまたは臭化ニトロシルのいずれかをエッチングガスとして用いたうえで、あるいはまた、一酸化窒素、一酸化二窒素、二酸化窒素、三酸化窒素、三酸化二窒素、四酸化二窒素、五酸化二窒素またはフッ化ニトロシルのいずれかを添加含有させてなる塩素系または臭素系のエッチングガスを用いたうえでポリシリコンまたはシリコンをエッチングすることを特徴としている。例文帳に追加

The manufacturing method of a semiconductor device is to etch a polysilicon or silicon using either one out of nitrosyl chloride, nitrile chloride or nitrosyl bromide or using chlorine or bromic base etching gas additionally containing either one out of nitrogen oxide, dinitrogen oxide, nitrogen dioxide, nitrogen trioxide, dinitrogen trioxide, dinitrogen tetroxide, dinitrogen pentoxide. - 特許庁

高純度が要求される三フッ化窒素、窒素、酸素、アルゴン、六フッ化硫黄、無水塩酸、無水臭化水素、四フッ化炭素及び六フッ化エタンなどの低温液化ガスを、純度の変質を起こすことなく少ないエネルギーを用いて簡単な工程によって、高圧ガス容器へ充填することが可能な、低温液化ガスの充填方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a filling method of low-temperature liquefied gas for filling low-temperature liquefied gas such as nitrogen trifluoride, nitrogen, oxygen, argon, sulfur hexafluoride, anhydrous hydrogen chloride, anhydrous hydrogen bromide, carbon tetrafluoride, and ethane haxafluoride requiring high purity into a high pressure gas container by a simple process using little amount of energy without altering the purity. - 特許庁

高純度が要求される三フッ化窒素、窒素、酸素、アルゴン、六フッ化硫黄、無水塩酸、無水臭化水素、四フッ化炭素及び六フッ化エタンなどの低温の液化ガスを、変質を起こすことなく、少ないエネルギーを用いて簡単な工程によって高圧ガス容器への充填可能な、低温液化ガスの充填方法の提供。例文帳に追加

To provide a method of charging a low temperature liquefied gas capable of charging a low temperature liquefied gas which is to be made highly pure, such as nitrogen tetrafluoride, nitrogen, oxygen, argon, sulfur hexafluoride, anhydrous hydrogen chloride, anhydrous hydrogen bromide, carbon tetrafluoride and ethane hexafluoride by a simple process in which the liquefied gas does not deteriorate and small energy is consumed. - 特許庁

単結晶シリコンウェハを熱拡散炉に入れ、Ｐ形不純物である三臭化ボロンと窒素と酸素の混合雰囲気中にて９００〜１１５０℃で加熱し、その混合雰囲気からウェハ表面にボロンを熱拡散させてボロン拡散層を形成する（ボロンデポジション工程）。例文帳に追加

A single-crystal silicon wafer is put into a thermal diffusion furnace, heated at 900-1,150°C in a mixed atmosphere of boron tribromide, nitrogen and oxygen of a p-type impurity, the boron is thermally diffused on the front surface of the wafer from the mixed atmosphere, and a boron diffusion layer is formed (boron deposition step). - 特許庁

ハロゲン（塩素、臭素）化合物および三酸化アンチモンを含有しない、新規なリン−窒素系難燃剤の配合により、十分な難燃性を付与しつつ、成形性、連続生産性、信頼性に優れた、さらには高白色度、高反射率、耐変色性を有する封止用樹脂組成物および半導体封止装置を提供する。例文帳に追加

To provide a sealing resin composition having sufficient flame retardancy imparted by incorporating therein a new phosphorus/nitrogen based flame retardant containing neither a halogen (chlorine or bromine) compound nor antimony trioxide, excellent in moldability, continuous producibility, and reliability, and having high whiteness, reflectance and resistance to discoloration, and a semiconductor sealing device. - 特許庁