下半連続性の英語

高温動作の際の相互拡散によるＳｉＣ基板と金属シリサイド層との間及び金属シリサイド層とボンディングメタル層との間の接着強度の低下を防止し、高温下での連続動作性及び電気的特性に優れた信頼性の高い半導体素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a highly reliable semiconductor element which is excellent in continuous operation property and electrical characteristics at a high temperature by preventing lowering of bonding strength between an SiC substrate and a metallic silicide layer and between a metallic silicide layer and a bonding metal layer due to interdiffusion in high temperature operation. - 特許庁

前述した方法は、８０ｎｍ以下のデザインルールを有する半導体ゲート電極上に不連続部分を含まないシリサイド膜を形成することができるのみならず、不連続部分を連結する工程で追加熱処理工程を行わなくても良いので、トランジスタの特性劣化を防止することができる。例文帳に追加

Since the above-described method is not only capable of forming a silicide film which does not contain the discontinuous part on a semiconductor gate electrode having the design rule of equal to or less than 80 nm but also not in need for an additional annealing process at a process for connecting the discontinuous part, it is possible to prevent the characteristic degradation of a transistor. - 特許庁

部分的成長抑制構造を利用して、基板と格子定数または熱膨張係数が異なる連続膜半導体層を形成した上に、さらに半導体発光素子を形成する場合の発光効率の低下および信頼性の悪化を防止する。例文帳に追加

To prevent degradation of light emitting efficiency and deterioration of reliability when a semiconductor light emitting element is further formed on a continuous film semiconductor layer formed so as to differ in the substrate, lattice constant, or thermal expansion coefficient, using a partial growth suppressing structure. - 特許庁

具体的には、判定部２０は、製造される順番が連続するｍ（ｍは自然数）個の半導体製品について、当該各製品の管理特性値とその直前に製造される製品の管理特性値との差の絶対値が所定の定数以下である場合に、管理特性値が異常であると判定する。例文帳に追加

Specifically, the determination part 20 determines the abnormality of the control characteristic value, when an absolute value of a difference between the control characteristic value of the each product and the control characteristic value of the product manufactured just before therein is a prescribed constant or less, as to the m pieces of the semiconductor products (m is a natural number) with consecutive manufactured orders. - 特許庁

一対の略コの字形の磁気コア半体ブロックを、非磁性材料からなる磁気ギャップ材料を介して突き合わせた後、放電加工によりアペックス部の磁気ギャップ下端を曲面加工し、アペックス部の磁気ギャップ下端を連続した曲面で構成する。例文帳に追加

After butting a pair of roughly U-shaped magnetic core half- blocks to each other via a magnetic gap material made of nonmagnetic material, the lower end of the magnetic gap of an apex part is processed so as to have a continuous curved surface by electric discharging. - 特許庁

例えば、電子写真記録装置における像の中間転写ベルト等に用いられる半導電性ベルトに関するもので、高強度、高弾性等上記したポリイミドフィルムの優れた機械特性を活かしつつ、連続使用においてもベルト表面の形状的な劣化現象が起こり難く、画像の低下が起こり難い耐久性に優れた半導電性ベルトを提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a semiconductive belt for use as an intermediate transfer belt or the like in an electrophotographic recorder, which effectively uses excellent mechanical characteristics of a polyimide film such as a high strength and a high elasticity and has the shape of the surface hardly degraded even when continuously used and hardly brings about the degradation of images and is superior in durability. - 特許庁

プラスチック油化装置液化工程にて発生している分解反応にて副生する遊離炭素、並びに高融点物質による装置の閉塞および冷却器の性能低下を防ぎ、また最小設備費での多系列半連続方式による能力増加、および小規模液化装置を実現すること。例文帳に追加

To prevent clogging of a plastic liquefying apparatus and performance deterioration of coolers thereof caused by isolated carbon and high-melting substances which are formed in a liquefaction process of the apparatus as by-products of cracking reaction, to increase capacity thereof at a minimized investment cost by using a multi-line semi-continuous system, and to provide the small-scale liquefying apparatus. - 特許庁

基板（２０１）と窒素を含む活性層（２０４）との間にＡｌを含む半導体層（２０２）が設けられている半導体発光素子において、窒素を含む活性層（２０４）の酸素濃度が、半導体発光素子が室温連続発振可能となる濃度（例えば１×１０^１８ｃｍ^−３以下）であることを特徴としている。例文帳に追加

In a semiconductor light-emitting device provided with a semiconductor layer (202) containing Al between a substrate (201) and an active layer (204) containing nitrogen, concentration of oxygen of the active layer (204) containing nitrogen is equal to concentration (e.g. not higher than 1×10^18 cm^-3) in which the semiconductor light-emitting device can continuously oscillate at room temperature. - 特許庁