不変抵抗の英語

このＭＯＳトランジスタモデルは、ドレイン側に、不変抵抗値を有する抵抗１０がＭＯＳトランジスタモデルＭＴに接続されたＢＩＳＭ３モデルに、さらにゲート電位ＶＧ及びドレイン電位ＶＤに依存して抵抗値が変化する可変抵抗２０を抵抗１０に直列に接続したものである。例文帳に追加

This MOS transistor model is a BISM3 model, wherein a resistor 10 having an invariant resistance value is connected to an MOS transistor model MT at the drain side thereof, to whose resistor 10 a variable resistor 20 having a resistance value which changes depending on the gate potential VG and the drain potential VD is further connected in series. - 特許庁

弾力的な手段の予圧が不変である限り、カーソルおよび牽引スライドは両方とも、互いに独立して、少なくとも前記可動性の部材の運動に対する抵抗から導かれる弾力的な手段の予圧の変化に応答してしっかりと一緒に動くことができる。例文帳に追加

The cursor and the towing slide can both move rigidly together as long as the preload of the elastic means remains unchanged both independently with each other in reply to the variation of the preload of the elastic member deriving from a resistance against the movement of at least the mobile means. - 特許庁

チップ抵抗器等のチップ部品において、保護層とメッキ層間に隙間が生じても、上面電極層が腐食しないチップ部品を提供するとともに、チップサイズを不変としつつも、該チップ部品の電気的性能を向上させることができるチップ部品を提供する。例文帳に追加

To provide a chip component, in which the upper surface electrode layer will not corrode even if a gap is generated between the protective layer and the plating layer in a chip component like a chip resistor, and provide a chip component, capable of improving its electric characteristic without changing the chip size. - 特許庁

第一及び第二磁気抵抗効果素子MTJ１，MTJ２は、磁化方向が可変の磁気フリー層１１−１，１１−２、磁化方向が不変の磁気ピンド層１２−１，１２−２、及び、これらの間に配置されるスペーサー層１３−１，１３−２を基本構造とする。例文帳に追加

The first and second magneto-resistance effect elements MTJ1, MTJ2 include, as basic structures, magnetic free layers 11-1, 11-2 variable in magnetization directions, magnetic pinned layers 12-1, 12-2 invariable in magnetization directions, and spacer layers 13-1, 13-2 disposed therebetween. - 特許庁

本発明の例に係わる磁気抵抗素子は、膜面垂直方向に磁化容易軸を有する磁化方向が可変の第１磁性層３と、膜面垂直方向に磁化容易軸を有する磁化方向が不変の第２磁性層２と、第１磁性層３と第２磁性層２との間に設けられる第１非磁性層４とを含む。例文帳に追加

The magnetoresistive element includes a first magnetic layer 3 which has an easy axis of magnetization in a direction vertical to a film surface and has variable magnetization direction, a second magnetic layer 2 which has an easy axis of magnetization in the direction vertical to the film surface, and a first nonmagnetic layer 4 provided between the first magnetic layer 3 and second magnetic layer 2. - 特許庁