不純物拡散用ガスの英語

縦型拡散炉２１の反応管２２内には、上部に設けられるノズル２６から、不純物バブラ２７を通過して拡散用の不純物を含むキャリアガスが導入される。例文帳に追加

An impurity diffusion device is constituted into a structure, wherein carrier gas containing impurities for diffusion, which is passed through an impurity bubbler 27, is introduced in a reaction tube 22 of a vertical type diffusion furnace 21 through a nozzle 26 provided in the upper part of the tube 22. - 特許庁

結晶シリコン粒子への不純物の拡散方法は、拡散管内に多数の第１導電型の結晶シリコン粒子を入れて攪拌させながら酸素を含んだ不純物ガスを導入することによって、結晶シリコン粒子の表面に第２の導電型用の不純物を含有した珪酸ガラスを形成する工程と、結晶シリコン粒子の表面に不純物を拡散させて第２の導電型のシリコン層を形成する工程とを有する。例文帳に追加

A method of diffusing impurities into crystal silicon particles has process of forming silica glass containing impurities for a second conductive semiconductor on the surface of crystal silicon particles by introducing an impurity gas containing oxygen while inputting a great amount of first conductive crystal silicon particles into a diffusion pipe to make stir and process of forming a second conductive silicon layer by making impurities diffuse on the surface of the crystal silicon. - 特許庁

降温時には窒素等の熱伝導率が高い第二のアニールガスを供給し、シリコンウェハを迅速に降温して不純物の無用な拡散を防止する。例文帳に追加

At the time of a cooling down the wafer, second annealing gas of high heat conductivity, such as nitrogen gas, is fed to the wafer and the wafer is rapidly cooled down to prevent useless diffusion of impurities in the wafer. - 特許庁

半導体基板内にトレンチを形成する段階、しきい値電圧の調節のために注入された不純物の拡散防止のイオン注入工程を実施する段階、トレンチ内にフルオリン(Fluorine; F)系列の不活性ガスを用いたイオン注入工程を実施する段階、およびトレンチを埋め込む素子分離膜を形成する段階を含む。例文帳に追加

The method includes a step of forming a trench in a semiconductor substrate, a step of carrying out ion implantation process for preventing impurities implanted in order to adjust a threshold voltage from diffusing, a step of carrying out ion implantation process using an inert gas in the fluorine (F) series in the trench, and a step of forming an element isolation film for trench embedding. - 特許庁