中央狭窄の英語

電流狭窄層１８の中央領域に、直径の大きな電流注入領域１９Ｂが形成され、横モード調整層１９の中央領域に、直径の小さな光透過領域１９Ａが形成されている。例文帳に追加

A large-diameter current injection region 19B is formed in a central region of the current constriction layer 18, and a small-diameter light-transmitting region 19A is formed in a central region of the lateral mode adjusting layer 19. - 特許庁

開口領域１５１には、長辺部と直交する方向の長辺部間の幅が狭められてなる狭窄部が、長辺部の長さ方向における両端部間に挟まれた中央部に設けられている。例文帳に追加

In the open area 151, a narrowed part with a width narrowed between the long sides in a direction crossing the long sides is provided at a center part pinched between both end parts in a length direction of the long sides. - 特許庁

更に、上部ＤＢＲ層５において電流狭窄領域６ａの中央部に対向する部分１０ａをプロトン注入領域１４が筒状に包囲している。例文帳に追加

Besides, in the upper DBR layer 5, the proton injection region 14 cylindrically surrounds a part 10a facing the center of the current constriction region 6a. - 特許庁

吸収体の中央部から後端にかけての領域内に、前記吸収体の膨張の度合いを他の箇所での度合いよりも小さくすることができる狭窄化手段を設ける。例文帳に追加

Inside an area from the center part to the rear end of the absorbent, a constricting means capable of making the degree of the expansion of the absorbent lower than the degree at other parts is provided. - 特許庁

Ａｌ酸化層と電流注入領域との境界、つまりＡｌ酸化層の先端部（メサポスト中央部側）に加わる応力を低減して素子信頼性の良好な酸化層狭窄型の面発光型半導体レーザ素子を提供する。例文帳に追加

To provide a highly reliable constricted oxide layer type surface emission semiconductor laser element, by reducing a stress being applied to the boundary of an Al oxide layer and a current injection region, i.e., the forward end of the Al oxide layer (central side of mesa post). - 特許庁

酸化狭窄層１０７を形成する選択酸化処理に際して発生する活性層１０５の外縁部の結晶転位が、活性層の中央部に伝搬する距離を長くすることで、面発光レーザ素子の長期信頼性を向上する例文帳に追加

A distance by which crystal dislocation of an outer edge portion of the active layer 105 generated in selective oxidation processing for forming the oxide-confinement layer 107 is propagated to a center part of the active layer is made long to improve the long-period reliability of the surface emitting laser element. - 特許庁

本面発光型半導体レーザ素子は、化合物半導体層の多層膜からなる多層膜反射鏡２２と、多層膜反射鏡内に設けられ、電流狭窄領域を形成するＡｌ酸化層４４とを有する積層構造をメサポストとして備え、Ａｌ酸化層が、メサポストの中央部の電流注入領域４２を取り囲むようにしてメサポストの外周部に環状に設けられている。例文帳に追加

The surface emission semiconductor laser element has a mesa post of multilayer structure comprising a multilayer reflector 22 of compound semiconductor layer and an Al oxide layer 44 for forming a current constriction region in the multilayer reflector, wherein the Al oxide layer is provided annularly at the outer circumferential part of the mesa post to surround a current injection region in the center of the mesa post. - 特許庁

そして、上部反射層６の活性層側から第一周期目のミラー層内に、そのメサ中央付近に配置されかつ水平断面が円状の形状を有する電流注入領域１９ａと該電流流入領域に１９ａに隣接して配置された選択酸化領域１９ｂにより形成された電流狭窄層２０が配置されている。例文帳に追加

In a mirror layer of first period from the active layer side of the upper reflective layer 6, a current constriction layer 20 is formed of a current injection region 19a arranged in the vicinity of the center of mesa and having circular horizontal cross-section, and a selective oxidation layer 19b arranged contiguously to the current injection region 19a. - 特許庁