二次元電子ガスの英語

本発明によれば、チャネル層１４と電子供給層１６との界面に発生する二次元電子ガスの濃度を高めることができる。例文帳に追加

According to the present invention, the concentration of two-dimensional electron gas generated on the interface between the channel layer 14 and the electron supply layer 16 can be increased. - 特許庁

電子移動度の低下が抑制され、かつ二次元電子ガスの閉じ込めが高められた半導体装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device and a method of manufacturing the same capable of suppressing reduction in an electron mobility and enhancing confinement of a two-dimensional electron gas. - 特許庁

窒化ガリウム系半導体層１３と第１のバリア層１５とは、二次元電子ガスのためのヘテロ接合２１を形成する。例文帳に追加

The nitride gallium based semiconductor layer 13 and the first barrier layer 15 form the heterojunction 21 for two-dimensional electron gas. - 特許庁

放射線の二次元位置を正確に特定することができるガス電子増幅器及びこれを使用した放射線検出器を提供する。例文帳に追加

To provide a gas electron amplifier accurately identifying a two-dimensional position of radiation, and also to provide a radiation detector using the same gas electron amplifier. - 特許庁

アンドープGaN層102上部には二次元電子ガスが発生しており、アンドープGaN層102上部は電界効果トランジスタのチャネル層として機能する。例文帳に追加

A two-dimensional electron gas is produced at the upper side of the undioped GaN layer 102, and the upper side functions as the channel layer of the field effect transistor. - 特許庁

導電性層を超格子構造として二次元電子ガス領域を形成することで、導電性層の導通抵抗をより低減させることができる。例文帳に追加

Formation of a two-dimensional electronic gas region by forming the conductive layer into a super-lattice structure reduces conduction resistance of the conductive layer. - 特許庁

これにより、二次元電子ガス領域２ｇにおけるキャリア移動度はより高められるとともに、キャリア濃度がより低減される。例文帳に追加

Thereby, in a two-dimensional electron gas region 2g, carrier mobility is further enhanced while a carrier concentration is further lowered. - 特許庁

二次元電子ガスを高効率に生成させることができ、かつコンタクト抵抗の抵抗値が小さな電界効果トランジスタを提供することである。例文帳に追加

To provide a field effect transistor which can generate two-dimensional electron gas with high efficiency, and exhibits a small resistance value of a contact resistance. - 特許庁