井戸向の英語

光吸収導波路２０は、井戸層が無歪又は量子井戸面内方向に圧縮歪を有する量子井戸吸収層を含んでおり、ＴＥ偏光の光を吸収する。例文帳に追加

In the optical absorption waveguide 20, a well layer includes a quantum well absorption layer which is not distorted or has compression distortion in an in-plane direction of a quantum well and light polarized in the TE mode is absorbed. - 特許庁

指向性の高い光６を照射することによって被検知光５の透過を操作できるダミー量子井戸層４を備えたダミー量子井戸素子３を光検知用量子井戸素子１の前段に設ける。例文帳に追加

A dummy quantum well element 3 equipped with a dummy quantum well layer 4 to be irradiated with high-directivity light 6 for operating transmission of light 5 to be detected is provided on the pre-stage of a quantum well element 1 for photo-detection. - 特許庁

また、半導体量子井戸構造中のスピン偏向した励起子間のスピン交換相互作用を利用する。例文帳に追加

Further, spin exchange interaction between spin-deflected excitons in the semiconductor quantum well structure is used. - 特許庁

よって井戸管の長手方向で吐出口２４ごとに独立した吐出制御が可能である。例文帳に追加

Consequently, independent discharge control for every discharge port 24 in the longitudinal direction of a well pipe is made possible. - 特許庁

ＩｎＧａＡｓ基板上の高歪量子井戸構造の結晶性の向上と熱抵抗を低減する。例文帳に追加

To improve crystallinity of a high distorted quantum well structure on an InGaAs substrate and to reduce its heat resistance. - 特許庁

多重量子井戸層中の各量子井戸層のバリア層のバンドギャップ波長を不均一にすることで、各量子井戸層に分布するキャリアの量を均一化し、光出力及び変調特性を向上させた光半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide an optical semiconductor device capable of uniformizing carrier amounts distributed in respective quantum well layers by ununiformizing band gap wavelengths of barrier layers of the respective quantum well layers in a multiquantum well layer, and capable of enhancing an optical output and a modulation characteristic. - 特許庁

発光しているＧａＩｎＮａＡｓ井戸層の成長条件が両半導体レーザで全く同等であるけれども、井戸層を挟むＧａＡｓ障壁層の作製方法を変更することによって、ＧａＩｎＮａＡｓ井戸層からの発光特性を向上できる。例文帳に追加

Although the growth condition of the GaInNaAs well layer that is emitting the light is completely identical to both the semiconductor lasers, the light-emitting characteristics from the GaInNaAs well layer can be improved, by changing a method of manufacturing the GaAs barrier layers holding the well layer. - 特許庁

III族窒化物量子井戸層を含む発光半導体デバイスを製造する方法は、量子井戸層のファセット配向を選択し、圧電界の電界強さ及び／又は量子井戸層における自然発生的電界の電界強さを制御すること、及び選択されたファセット配向をもつ前記量子井戸層を成長させることを含む。例文帳に追加

A method for manufacturing a light emitting semiconductor device containing a group III nitride quantum well layer contains selecting the facet orientation of the quantum well layer, controlling intensity of a piezoelectric field and/or intensity of a naturally generated electric field in the quantum well layer, and growing the quantum well layer having the selected facet orientation. - 特許庁