交差抵抗性の英語

また、回転センサ３５は、磁気抵抗素子３５Ｃｃ（異方性磁気抵抗素子）を電磁クラッチが生じる磁束に対して交差する永久磁石３５Ｂｄの磁束を検出する位置に固定してある。例文帳に追加

In the rotation sensor 35, a magnetic resistance element (anisotropic magnetic resistance element) 35Cc is fixed at a position where it can detect the magnetic flux of a permanent magnet 35Bd intersecting a magnetic flux generated by the electromagnetic clutch. - 特許庁

また、回転センサ３５は、磁気抵抗素子３５Ｃｃ（異方性磁気抵抗素子）を電磁クラッチが生じる磁束に対して交差する永久磁石３５Ｂｄの磁束を検出する位置に固定してある。例文帳に追加

In the rotation sensor 35, a magnetoresistive element 35Cc (anisotropic magnetoresistive element) is fixed on a position where a magnetic flux of a permanent magnet 35Bd crossing a magnetic flux generated by an electromagnetic clutch is detected. - 特許庁

抵抗性又は交差抵抗性の発達したハエ及び蚊に卓越した殺虫効果を示し、また、通常の畜産現場で見られる各種の害虫に対しても優れた殺虫効果を奏する、実用性の高い殺虫剤組成物の提供。例文帳に追加

To provide an insecticidal composition exhibiting predominant insecticidal effects on flies and mosquitos having developed resistivity and crossed resistance, also exhibiting excellent insecticidal effects even on various kinds of insect pests shown in a normal stock-raising site, and having high practicability. - 特許庁

ポリシリコンパターンの形成方法、該ポリシリコンパターンを含むダイオード、ポリシリコンパターンを含む多層交差点抵抗性メモリ素子及び、前記ダイオードと前記メモリ素子との製造方法例文帳に追加

FORMING METHOD FOR POLYSILICON PATTERN, DIODE INCLUDING POLYSILICON PATTERN, MULTI-LAYER CROSS POINT RESISTIVE MEMORY ELEMENT INCLUDING POLYSILICON PATTERN, AND MANUFACTURING METHOD FOR DIODE AND MEMORY ELEMENT - 特許庁

ボルト軸線が製品側面側へ偏向して作業時間の短縮と安全かつ省力でき、可撓性部材を介しＸ形に交差緊締したボルトのバネ弾性力と引張抵抗耐力及び剪断抵抗耐力を備えて連結し地震時等に有用なコンクリート製品の可撓性連結器の提供。例文帳に追加

To provide an earthquake-proof useful flexible connector for concrete products, wherein bolt axial lines are deflected toward a product side surface to facilitate work time saving, safety and labor saving, and wherein crossing bolts tightened through flexible members have spring elastic force, tensile and shearing resistance bearing forces. - 特許庁

不揮発性半導体記憶装置は、複数の第１の配線、第１の配線に交差する複数の第２の配線、並びに第１及び第２の配線の各交差部に配置された電気的書き換え可能な抵抗値をデータとして不揮発に記憶する可変抵抗素子からなる複数のメモリセルを有するメモリセルアレイを有する。例文帳に追加

A nonvolatile semiconductor memory device has: a plurality of first wiring lines; a plurality of second wiring lines that intersects with the first wiring lines; and a memory cell array having a plurality of memory cells that comprises variable resistive elements for storing electrically re-writable resistance values, which are arranged at each intersection between the first wiring lines and the second wiring lines, in a nonvolatile manner as data. - 特許庁

第１電極１０２と、基板面に垂直な第２方向に延伸する複数の第２電極１１２との各交差部分において、可変抵抗体１１０が第１電極１０２と第２電極１１２に挟持され、不揮発性可変抵抗素子が形成されている。例文帳に追加

A variable resistor 110 is pinched between the first electrodes 102 and second electrodes 112 at each crossing portion between the first electrodes 102 and the plurality of second electrodes 112 extended to a second direction vertical to the substrate face to form a nonvolatile variable resistance element. - 特許庁

横溝と縦溝とが交差する箇所である合流点における水流の剥離を防止し、渦による抵抗を抑制して排水性能を向上するようにした空気入りタイヤを提供する。例文帳に追加

To provide a pneumatic tire increased in water-discharge performance by preventing water flow from being peeled off at an intersecting point where a lateral groove intersects a vertical groove so as to suppress a resistance due to vortex. - 特許庁