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光伝導性半導体の英語

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英訳・英語 photoconductive semiconductor


JST科学技術用語日英対訳辞書での「光伝導性半導体」の英訳

光伝導性半導体


「光伝導性半導体」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 73



例文

半導体装置では、電極を備えた伝導のある半導体薄膜1が、半導体薄膜1をエピタキシャル成長するための第1の半導体基板とは異なった第2の基板4上に形成されている。例文帳に追加

In the photosemiconductor device, a photoconductive semiconductor film 1 having an electrode is formed on a second substrate 4 which is different from a first semiconductor substrate to epitaxially grow the semiconductor film 1. - 特許庁

本発明に従う発素子は、伝導支持部材と、上記伝導支持部材の上に第2導電型半導体層と、上記第2導電型半導体層の上に活層と、上記活層の上に第1導電型半導体層と、上記第1導電型半導体層の上に保護素子と、を含む。例文帳に追加

The light emitting element includes a conductive support member, a second conductivity type semiconductor layer formed on the conductive support member, an active layer formed on the second conductivity type semiconductor layer, a first conductivity type semiconductor layer formed on the active layer, and a protection element formed on the first conductivity type semiconductor layer. - 特許庁

本発明のテラヘルツ伝導基板10は、第1の半導体層11と、第1の半導体層12の一方の主面上に形成された、照射により伝導を示す第2の半導体層12とを備え、第2の半導体層12は、希土類元素を含有する。例文帳に追加

The teraheltz light conducting substrate has a first semiconductor layer 11 and a second semiconductor layer 12 which is formed on one principal surface of the first semiconductor layer 12 and shows conductivity by light irradiation, the second semiconductor layer 12 containing a rare earth element. - 特許庁

ダイオードパッケージ構造は伝導組立品、半導体チップ、パッケージ本体を含んでいる。例文帳に追加

A light emitting diode package structure includes a conductive assembly, a semiconductor chip, and a package body. - 特許庁

更に、二つの半導体電極を、それに接した電解質層を介して互いの半導体電極表面を対面させて配置した電変換素子であって、一方の半導体電極がn型伝導の金属酸化物半導体層を有し、他方の半導体電極がp型伝導の金属酸化物半導体層を有することを特徴とする電変換素子である。例文帳に追加

In other words, the photoelectric conversion element is composed by arranging two of the semiconductor electrodes by facing the surfaces of the semiconductor electrodes to each other through the electrolyte layer abutting on them, and is characterized in that one of the semiconductor electrodes has the metal oxide semiconductor layer having n-type conductivity and the other semiconductor electrode has the metal oxide semiconductor layer having p-type conductivity. - 特許庁

半導体伝導帯間散乱を減少させて、電気伝導度および発・受を向上させる。例文帳に追加

To improve electric conductivity and light emitting and receiving characteristics of a isotope superlattice semiconductor device by reducing the scattering between conduction bands in a semiconductor. - 特許庁

例文

空孔型欠陥密度が小さく、かつ組成分離のないIII−V族化合物半導体結晶、並びに良好な電気伝導、発及び高速変調特を有する半導体デバイス及び半導体レーザの提供。例文帳に追加

To provide a III-V compound semiconductor crystal whose hole type defect density is low and which is free from composition separation, and a semiconductor device and a semiconductor laser having good electric conductivity, a light emission property and a rapid modulation property. - 特許庁

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「光伝導性半導体」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 73



例文

本発明の受素子は、導電層及び色素で増感された半導体を含有する感層をそれぞれ含む2つの半導体電極、並びにイオン伝導電解質層を有し、2つの半導体電極がイオン伝導電解質層を挟んで感層を内側に対向していることを特徴とする。例文帳に追加

The light receiving element has two semiconductor electrodes and ion conductive electrolytic layers respectively including a photosensitive layer containing a semiconductor sensitized by a conductive layer and a pigment, and the two semiconductor electrodes sandwiches the ion conductive electrolytic layer to oppose the photosensitive layer to the inside. - 特許庁

また、二つの半導体電極を、それに接した電解質層を介して互いの半導体電極表面を対面させて配置した電変換素子であって、一方の半導体電極がn型伝導の金属酸化物半導体層を有し、他方の半導体電極が前記半導体電極であることを特徴とする電変換素子である。例文帳に追加

This photoelectric conversion element is composed by arranging two of the semiconductor electrodes by facing the surfaces of the semiconductor electrodes to each other through an electrolyte layer abutting them, and is characterized in that one of the semiconductor electrodes has a metal oxide semiconductor layer having n-type conductivity and the other semiconductor electrode is the above type electrode. - 特許庁

本発明による発素子は、伝導支持部材と、上記伝導支持部材の上に形成され、第1導電型半導体層、第2導電型半導体層、及び上記第1導電型半導体層と上記第2導電型半導体層との間に活層を含み、上部領域に酸素(O_2)が注入された酸素注入領域を含む発構造物と、上記発構造物の上に電極と、を含む。例文帳に追加

The light emitting element includes: a conductive support member; a light emitting structure which is formed on the conductive support member, and contains a first conductivity type semiconductor layer, a second conductivity type semiconductor layer and an active layer between the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer, and further contains an oxygen injection region wherein oxygen (O_2) is injected into an upper region; and an electrode on the light emitting structure. - 特許庁

自然超格子でありながら局所的なドメインをほとんど形成せず、基板全体に亘って均一な自然超格子構造を有する化合物半導体、化合物半導体結晶及びそれらの製造方法、並びに良好な温度特、電気伝導、発、高速変調特を有する前記半導体結晶を用いた半導体デバイス及び半導体レーザの提供。例文帳に追加

To provide a compound semiconductor and compound semiconductor crystal having a natural superlattice structure which is a natural superlattice, however, a local domain is hardly formed, and is uniform over the whole substrate, those manufacturing method, and a semiconductor device and semiconductor laser using a semiconductor crystal which has a good temperature characteristic, electric conductivity, emission characteristic, and high speed modulation characteristic. - 特許庁

第1伝導半導体層30と、該第1伝導半導体層上に位置する発層20と、該発層上に位置し、エッチング障壁層40を有する第2伝導半導体層10と、を備え、前記エッチング障壁層上には、抽出構造50が形成されている構造としている。例文帳に追加

The vertical light emitting device has a structure having: a semiconductor layer of a first conductivity type 30; a light emission layer 20 located on the semiconductor layer of a first conductivity type; and a semiconductor layer of a second conductivity type 10 located on the light emission layer and having an etching barrier layer 40; in which a light extraction structure 50 is formed on the etching barrier layer. - 特許庁

結晶n型半導体をコアとし、該コアの表面を絶縁体またはコアを形成するn型半導体より高い伝導帯準位を有するn型半導体のいずれかからなる厚さ1nm未満のシェルで被覆してなる複合半導体を含有する半導体の膜が導電支持体上に積層されてなる電変換素子を用いる。例文帳に追加

A photoelectric conversion element has a semiconductor film, containing a composite semiconductor obtained by coating a shell having a thickness of less than 1 nm and made on a surface of a core formed of a crystalline n-type semiconductor with any of an insulator and the n-type semiconductor, having a conduction band level higher than that of the n-type semiconductor for forming the core on a conductive support. - 特許庁

半導体装置は、第2の基板4にも第2の電極2を備えており、第2の電極2と、伝導のある半導体薄膜の電極が接触して成る。例文帳に追加

The photosemiconductor device has a second electrode 2 on the second substrate 4 too, and the second electrode 2 and the electrode of photoconductive semiconductor film are contacted. - 特許庁

例文

伝導が高く、ダイボンド材を用いた半導体装置においてクラックを生じ難くすることができる半導体装置用ダイボンド材を提供する。例文帳に追加

To provide a die-bonding material for an optical semiconductor device of high thermal conductivity which can restrain cracks from being generated in an optical semiconductor device using a die-bonding material. - 特許庁

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「光伝導性半導体」の英訳に関連した単語・英語表現
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photoconductive semiconductor JST科学技術用語日英対訳辞書


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