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光結合トランジスタの英語
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英訳・英語 optically coupled transistor; light coupled transistor; LCT
「光結合トランジスタ」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 14件
各々のピクセルが、薄膜切り換えトランジスタ(130)に結合されている光センサ(120)を含んでいる。例文帳に追加
Each pixel includes an optical sensor 120 coupled with a thin film switching transistor 130. - 特許庁
リセットトランジスタは、ゲート、ソースおよびドレインを有し、SRO光検出器は、陽極およびリセットトランジスタのソースに電気的結合される陰極を有し、読み出しトランジスタはソース、ドレインおよびゲートを有し、ゲートはSRO光検出器の陰極に電気的結合される。例文帳に追加
The reset transistor has a gate, a source and a drain, the SRO photosensor has an anode and a cathode electrically coupled to the source of the reset transistor, and the readout transistor has a source, a drain and a gate and the gate is electrically coupled to the cathode of the SRO photosensor. - 特許庁
このトランジスタ12の出力側に直接又はAC結合コンデンサ16を介してレーザダイオード等の光変調器10を接続する。例文帳に追加
A light modulator 10 such as a laser diode is connected with the output side of this transistor 12 directly or via an AC coupling capacitor 16. - 特許庁
各トランジスタからの少数キャリアの再結合による発光は、エミッション顕微鏡25により検出される。例文帳に追加
The emission of light from each transistor with the rejunction of a small number of carriers is detected by an emission microscope 25. - 特許庁
光検出器(100)は、入射光に応答して出力電流信号を生成する構成でゲルマニウムを含む第1のフォトトランジスタ(102)と、第1のフォトトランジスタに電気的に結合し基準電流信号を生成する第2のフォトトランジスタ(104)と、第2のフォトトランジスタを覆って入射光を遮蔽して前記基準電流信号を前記入射光から独立させる不透明層とを備える。例文帳に追加
The photodetector (100) has a first phototransistor (102) which includes germanium, and is structured such that it generates an output current signal in response to incident light, a second phototransistor (104), that is electrically linked to the first phototransistor to generate a reference current signal, and an opaque layer that covers the second phototransistor to shield incident light so as to make the reference signal independently of the incident light. - 特許庁
レーザ・光検出器構造500は、VCSELタイプの発光素子520及び発光素子に光学的に結合される光検出器となるヘテロ接合フォトトランジスタ510とを有する。例文帳に追加
In a laser/photodetector structure 50, a VCSEL type light emitting element 520 and a hetero-junction phototransistor 510 as a photodetector joined optically with the light emitting element 520 are provided. - 特許庁
蛍光ランプFLが寿命末期で短絡状態になると、二次巻線Tr1bに密結合の電源用巻線Tr1cに電圧を誘起せず、ベースドライブ回路5には電源がなくなり、トランジスタQ1を駆動させない。例文帳に追加
When the fluorescent lamp FL comes into a short-circuit state due to the termination period of its service life, a voltage is not induced in a power winding Tr1c close-coupled to the secondary winding Tr1b, so that no power source remains for the base drive circuit 5 and accordingly, the transistor Q1 cannot be driven. - 特許庁
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「光結合トランジスタ」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 14件
第1及び第2保存素子の結合により決まる第3電圧がトランジスタに印加されて駆動電流が有機電界発光素子に供給される。例文帳に追加
The third voltage determined by coupling of the first and second preservation elements is applied to the TR and the driving current is supplied to the organic EL element. - 特許庁
光結合型半導体リレー装置に用いられる双方向形スイッチ素子20は、SOI基板30のシリコン層33に形成されたMOSFET21a、21bとPNPトランジスタとからなる。例文帳に追加
A bi-directional switch element 20 to be used in an optical coupling semiconductor relay device is composed of MOSFETs 21a, 21b and a PNP transistor formed on a silicon layer 33 of SOI substrate 30. - 特許庁
(A)ウレア結合もしくはウレタン結合を介して結合した感光性基を有する繰り返し単位を含有する高分子化合物と、(B)硬化剤と、(C)有機溶剤とを含有することを特徴とする有機薄膜トランジスタ絶縁層用樹脂組成物である。例文帳に追加
The resin composition for the insulating layer of the organic thin film transistor comprises (A) a polymer compound containing a repeating unit to which a photosensitive group is bound through a urea bond or a urethane bond, (B) a hardener, and (C) an organic solvent. - 特許庁
電池電圧をトランス結合のトランジスタ回路により発光ダイオードの動作に適合した電圧まで昇圧し、発光ダイオードの発光特性や回路簡素化を併せ考えた上、交流波形のまま、懐中電灯の電源として使用する。例文帳に追加
A cell voltage is boosted up to a voltage suitable for an operation of the electroluminescent diode by a transistor circuit with a transformer coupling, and taking a luminous property of electroluminescent diode and a simplification of the circuit into consideration, it is used as a power source of the flash light with alternating current wave form. - 特許庁
ゾル−ゲル及び光硬化反応により光硬化透明高分子内に金属酸化物ナノ粒子を形成及び結合させて、誘電率の変化が容易な透明無機/高分子複合層をゲート絶縁層として用いる有機薄膜トランジスタ及びその製造方法の提供。例文帳に追加
To provide an organic thin-film transistor by using a transparent inorganic/polymer composite layer facilitating the change of a dielectric constant as a gate insulation layer, by forming and binding metal oxide nanoparticles in a photocurable transparent polymer by sol-gel and photocuring reactions. - 特許庁
その後、メカニカルシャッタが閉じて露光が終了してから画素から信号を読み出すまでの期間では、FD部の電位を下げ、そのときの寄生容量Cによる容量結合によって転送トランジスタ22のゲート下のチャネルのポテンシャルを浅くする。例文帳に追加
Thereafter, in a period from when a mechanical shutter is closed to terminate light exposure to when a signal is read from the pixel, an electrical potential of an FD part is reduced, and a potential of a channel under a gate of a transmission transistor 22 is shallowed by capacitance coupling of a parasitic capacitance C at the time. - 特許庁
二次回路2を、過電圧を検出する比較器21の出力と不足電圧を検出する比較器22の出力とを結合し、フォトカプラPCの発光ダイオード29を駆動するトランジスタ27を制御して、出力電圧の正常出力時はフォトカプラPCを点灯、過電圧または不足電圧時には消灯させるよう構成する。例文帳に追加
A secondary circuit 2 is so constituted as to light a photocoupler PC at normal output of output voltage and extinguish it at overvoltage or short voltage by coupling the output of a comparator 21 for detecting overvoltage with the output of a comparator 22 for detecting short voltage and controlling a transistor 27 for driving the light emitting diode 29 of the photocoupler PC. - 特許庁
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