内部算術の英語

内部電極層２１の厚みをＣ（μｍ）とした場合に、内部電極層２１と接する圧電層１１の境界面の表面粗さ（算術平均粗さ）Ｒａは、０．５・Ｃ（μｍ）以下であることが好ましい。例文帳に追加

It is preferable to control the surface roughness (arithmetic mean roughness) Ra of the boundary faces of the piezoelectric layers 11 in contact with the internal electrode layers 21 to ≤0.5×C (μm) (wherein, the C (μm) is the thicknesses of the electrode layers 21). - 特許庁

算術式展開のフォーマットを次に示します:$((expression))expressionはダブルクォート内部にある場合と同様に扱われますが、括弧の内側のダブルクォートが特別扱いされることはありません。例文帳に追加

The format for arithmetic expansion is: $((expression)) The expression is treated as if it were within double quotes, but a double quote inside the parentheses is not treated specially.発音を聞く  - JM

単語の分割シェルはパラメータ展開・コマンド置換・算術式展開(ダブルクォートの内部ではこれらの展開は行われません)の結果をスキャンし、"単語分割"を行います。例文帳に追加

Word Splitting The shell scans the results of parameter expansion, command substitution, and arithmetic expansion that did not occur within double quotes for "word splitting" .発音を聞く  - JM

好ましくは、セラミック層２を得るためのセラミックグリーンシートの表面の算術平均粗さ（Ｒａ）を１００ｎｍ以下とし、内部電極８，９を薄膜形成法によって形成された金属膜をもって構成する。例文帳に追加

Preferably, the arithmetic mean roughness (Ra) of the surface of the ceramic green sheet for obtaining the layer 2 be set at a roughness of lower than 100 nm and that the electrodes 8 and 9 be constituted of a metal film formed through a thin-film forming method. - 特許庁

表面にセラミックス層をそなえ、表面硬さがヴィッカース硬さで 2000 以上、表面粗さが算術平均粗さRaで 0.001〜0.1 μm の金型の内部に、金属粉末を充填し、加圧成形する。例文帳に追加

Metal powder is paced into a die whose surface is provided with a ceramic layer, and having a surface hardness of ≥2,000 by a Vickers hardness and a surface roughness of 0.001 to 0.1 μm by an arithmetic average roughness Ra, and compacting is performed. - 特許庁

内部電極８，９とセラミック層２との界面の算術平均粗さ（Ｒａ）を２００ｎｍ以下とし、かつセラミック層２の断面中のポアの面積比率を１％以下とする。例文帳に追加

An arithmetic mean roughness (Ra) of the interfaces between internal electrodes 8 and 9 and a ceramic layer 2 is set at a roughness which is lower than 200 nm and the area ratio of pores formed in the section of the layer 2 to the layer 2 is set at a ratio lower than 1%. - 特許庁

また、結晶化温度が２００℃以上、膜表面の算術平均高さ（Ｒａ）が２．０ｎｍ以下、内部応力の絶対値が１×１０^10ｄｙｎ／ｃｍ^2 以下であることが好ましい。例文帳に追加

It is preferable that a crystallizing temperature is 200°C or more, that the arithmetrical average height (Ra) of a film surface is 2.0 nm or less, and that the absolute value of the inner stress is 1×10^10 dyn/cm^2 or less. - 特許庁