再結晶速度の英語

炭素数１〜３のアルコール、水およびアセトンからなる群より選ばれる少なくとも１つを含む溶媒に溶解したシタロプラム臭化水素酸塩を、冷却速度を調整しながら結晶化または再結晶化に付す。例文帳に追加

According to the present invention, citalopram hydrobromide dissolved in a solvent containing at least one member selected from the group consisting of a 1-3C alcohol, water and acetone is crystallized or recrystallized while controlling the cooling rate. - 特許庁

帯域溶融再結晶化法を使用してシリコン薄膜を形成するにあたり、走査速度を上げても結晶性の良い膜を形成できる技術及び、形成されたシリコン薄膜を使用した太陽電池を提供する。例文帳に追加

To provide a technology capable of forming a silicon thin film having good crystallinity even when scanning rate is raised in the formation of the silicon thin film using a zone melting recrystallization process, and to provide a solar cell using the formed silicon thin film. - 特許庁

耐食鋼の製造方法は、冷間加工１０７、加熱処理１０８及び冷却処理１０９により処理される結晶粒微細化工程１１０を含み、結晶粒微細化工程１１０は、再結晶温度まで加熱速度を３０℃／秒以上の急加熱として結晶粒の粒径を５μm以下となるよう微細化するものであること、を特徴とする。例文帳に追加

A method for producing a corrosion resistant steel includes a crystal grain-refining process 110 performing cold-working 107, heating treatment 108 and cooling treatment 109; and the crystal grain-refining process 110 is characterized in that the crystal grain-refining is performed so that the grain diameter of the crystal grain becomes ≤5 μm by rapidly heating to a recrystallization temperature at ≥30°C/sec heating speed. - 特許庁

レーザパルスのパルス波形を整形して、レーザパルスにより溶融した半導体基板表面が再結晶化するときにおける固化速度を遅くする。例文帳に追加

The pulse waveform of the laser pulse is mode into a shape, and solidifying rate, when the semiconductor substrate surface melted by the laser pulse is crystallized again, is reduced. - 特許庁

透明性、力学特性、シール強度、ガスバリア性が求められる包装用フィルムの製造に適した再結晶化速度に優れたポリ塩化ビニリデン系樹脂組成物の提供。例文帳に追加

To provide a polyvinylidene chloride resin composition excellent in a recrystallization rate and suitable for the production of a packaging film which requires transparency, mechanical characteristics, seal strength, gas barrier properties. - 特許庁

これらの合金は、熱間又は冷間で加工後、６５０℃以上で８５０℃以下の温度にて焼鈍を行い、空冷より遅い冷却速度で冷却し、等軸再結晶組織とすることにより、耐食性をさらに高めることができる。例文帳に追加

The alloys are subjected to hot or cold working, are annealed at 650 to 850°C, and are cooled at a cooling rate slower than air cooling so as to be an equiaxial recrystallized structure, so that the corrosion resistance thereof can further be enhanced. - 特許庁

これにより、核結晶膜成膜後のインキュベーションタイムをなくして全体の見かけ上の成膜速度を高めると共に、膜厚の面間均一性（再現性）を高める。例文帳に追加

In this way, incubation time after the formation of the nuclear crystal film is eliminated to increase an apparent film forming rate on the whole, and moreover, the interfacial uniformity (reproducibility) of the film thickness is increased. - 特許庁

核結晶膜成膜後のインキュベーションタイムをなくして全体の見かけ上の成膜速度を高めると共に、膜厚の面間均一性（再現性）を高めることができめるタングステン層の形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for forming a tungsten layer capable of increasing an apparent film forming rate on the whole by the elimination of incubation time after the formation of a nuclear crystal film and moreover capable of increasing the inter facial uniformity (reproducibility) of the film thickness. - 特許庁