前書きするの英語

そこで、メモリセルアレイ２７における１ブロックを４つの領域に分割し、３ビットの消去回数記憶用のメモリセルを有する消去回数記憶メモリ２９に、各領域の消去前書き込み状態を書き込む。例文帳に追加

Then, one block in the memory cell array 27 is divided into four regions, a write-in state before erasure of each region is written in a storage memory 29 of the number of times of erasure having memory cells for storing the number of times of erasure of 3 bits. - 特許庁

この後、第１、第２のメモリセルに同時に、第２の事前書き込みパルスより低い初期電圧を持ち、第１の電位差より小さい第２の電位差づつ、ほぼその電圧が高まっていく書き込みパルス列を印加する。例文帳に追加

After that, the wrote control circuits (3 to 8) simultaneously apply a write pulse train to the first and second memory cells, the write pulse train having a voltage that starts from an initial voltage lower than the voltage of the second prior write pulse and almost increases by a second voltage smaller than the first voltage. - 特許庁

本発明はシリアルメモリサイズ自動認識方法において、事前書き込み用定型ビット列を与えて事前書き込み処理を行い、第１、第２の読み出し処理を行い、前記第１、第２の読み出したデータの組順に基づきメモリサイズを判定するようにしたので、出力データに応答ビットが付与されないＳＰＩ準拠のシリアルメモリにも対応可能なシリアルメモリサイズ自動認識方法を提供するのに著効を奏す。例文帳に追加

To provide a method for automatically recognizing serial memory size capable of dealing with even serial memories based on SPI (serial peripheral interface) where no response bit is imparted to output data, by imparting a fixed bit string for preliminary writing to perform a preliminary writing process, performing first and second reading processes, and determining memory size based on the order of the first and second data read. - 特許庁

語義については、高崎正秀が後に引く折口信夫の師説を援用して「魂の宿る詞章」と説明するが、既にふれたように、「枕詞」という用語自体が中世以降のものであることを考慮すれば、歌の一番初めに来るので、前書きの意味での「枕」に近いものと思われる。例文帳に追加

The meaning of the term is described as 'a verse in which a spirit dwells' by Masahide TAKASAKI based on his master Shinobu ORIKUCHI's opinion, about which we have talked above, but when we consider that the very term 'makurakotoba' came into existence after the medieval period, it is thought to be akin to a 'makura' (literally a 'pillow'), which means a preface, since it is positioned at the head of a poem.発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

好ましくは、これと同じチップ上にセットアップアルゴリズムを実行するコントローラが形成され、最も好ましくは、このセットアッププログラムは、アレイのメモリセルに２進データビットを書き込む際に使用される書き込み電流（書き込み電流は複数の場合もある）であって、同時に、アレイの他のメモリセルに以前書き込まれたデータを保持する書き込み電流を決定する。例文帳に追加

Preferably, a controller performing set-up algorithm is formed on the same chip, mostly preferably, this set-up program decides a writing current (some times, a writing current is plural) used when binary data bits are written in a memory cell array, simultaneously, a writing current holding data previously written in the other memory cell of the array. - 特許庁

不揮発性半導体メモリのメモリブロックの消去動作を制御する自動消去シーケンサ２０８内の自動消去シーケンス制御回路２５４は、消去動作時には消去前書き込み制御回路２５６および消去／消去ベリファイ制御回路２５７を制御するとともに、自動消去実行中であることをステータスレジスタ２０７に設定する。例文帳に追加

An automatic erasure sequence control circuit 254 in an automatic erasure sequencer 208 for controlling an erasure operation of a memory block of the nonvolatile semiconductor memory controls a prior-to-erase write control circuit 256 and an erase/erase verification control circuit 257 at the time of an erase operation and sets a status that automatic erase is now being performed in a status register 207. - 特許庁

確認読み出しの出力による消去状態判定は、確認読み出し出力をスキャンするカラムスキャン判定回路９と、制御信号及び制御電圧発生回路７とにより行い、少なくとも二つのメモリセルのしきい値が所定のしきい値に達したことを判定して、事前書き込み動作を終了する。例文帳に追加

Erasing condition determination using output of the confirmation reading is performed by using a column scan determination circuit 9 that scans the output of the confirmation reading and a circuit 7 for generating a control signal and control voltage, and the previous writing is finished when determining a fact that threshold values of at least two memory cells reaches a predetermined threshold value. - 特許庁

一括消去に先立って、消去すべきブロック内におけるすべてのメモリセルの制御ゲート１８に第１の電圧を印加し、第２のウェルには第１の電圧と反対の極性の第２の電圧を印加し、第１のウェルには第１の電圧と同じ極性の第３の電圧を印加して、ファウラーノーデハイムトンネル現象により浮遊ゲート１６に電子を注入することで消去前書き込みを行う。例文帳に追加

Prior to batch erasion, first voltage is applied to control gates 18 of all memory cells in a block to be erased, second voltage having polarity being reverse of the first voltage is applied to a second well, third voltage having the same polarity as the first voltage is applied to the first well, and write-in prior to erasion is performed by injecting electrons to a floating gate 16 by Fowler-Nordheim tunnel phenomenon. - 特許庁