劣化のポテンシャルの英語

プレーナドーピングによる急峻なポテンシャル分布を維持し、チャネル層電子移動度の低下や、ゲートリーク電流の増大等の、デバイス特性の劣化が抑制されたヘテロ接合型電界効果トランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide a heterojunction field effect transistor, in which the steep potential distribution by planar doping is sustained and deterioration in device characteristics, e.g. lowering of channel layer electron mobility or increase in gate leak current, is suppressed. - 特許庁

微細ショットキーＭＩＳＦＥＴのソース電極がチャネル端の表面ポテンシャルをピニングすることで発生するトランジスタ性能の劣化を防止する。例文帳に追加

To prevent deterioration of a transistor performance generated by a source electrode of a fine Schottky MISFET which pins a surface potential at a channel end. - 特許庁

これにより、劣化状態を考慮して複数の電池モジュールを組み合わせることにより交換用バッテリ２１を構成できるので、バッテリのポテンシャルを有効活用することができる。例文帳に追加

In this way, the replacement battery 21 can be configured by combining a plurality of cell modules while considering the deterioration state, and the potential of the battery can be efficiently utilized. - 特許庁

従来のＣＣＤ固体撮像素子において、垂直電荷転送部（電荷転送領域）のｎ型不純物領域のポテンシャルは、隣接するｐ型不純物領域の影響によって両側が丸みを帯びた状態で引き上げられ、転送特性劣化の要因となる。例文帳に追加

In a conventional CCD solid-state imaging device, the potential of an n-type impurity zone of a vertical charge transfer (charge transfer region) is pulled up at its both sides with round shapes, which becomes a cause of deterioration of a transfer characteristic. - 特許庁

最終製品厚に冷間圧延した後の仕上焼鈍工程において、焼鈍雰囲気の酸素ポテンシャルを適正な範囲に制御することで、製鋼での脱炭負荷を低減し、かつ製品の酸化層を生じさせず、炭化物析出や時効劣化の起きない高周波鉄損の優れた無方向性電磁鋼板を提供する。例文帳に追加

To provide a non-oriented electrical steel sheet having an excellent high frequency core loss, in which a decarburization load in a steel making process is reduced, the oxidized-layer of a product is not produced, and precipitation of carbide and an aging deterioration are not caused in the product, by controlling an oxygen potential in the annealing atmosphere to a suitable range in a finish annealing process after cold rolling to the last product thickness. - 特許庁

特に、ｐ／ｎ／ｎ^−／ｐ^＋／ｎ構造において顕著となる表面シールド層２０５によるポテンシャル障壁に起因する転送特性劣化を抑えるために電荷蓄積部２０４の一部を転送ゲート電極２０８の直下であって、且つ、転送ゲート電極下のシリコン−ゲート酸化膜界２０９面から離れた深さに形成する。例文帳に追加

In order to suppress especially transfer characteristics degradation caused by potential barrier wall of a surface shield layer 205 prominent in p/n/n^-/p^+/n structure, a part of a charge accumulation part 204 is formed in such depth as away from a silicon-gate oxide film interface 209 under a transfer gate electrode, directly below the transfer gate electrode 208. - 特許庁